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文檔簡介
1、近年來,環(huán)境問題日趨嚴峻,例如細菌和病毒的傳播,空氣污染以及水污染等,對人類的生活健康造成了很大影響,因此對于環(huán)境領域和人類健康的應用研究也成為重點。利用納米半導體材料的光催化殺菌作用,可以很好的消除和降解有毒化學物質(zhì)。寬禁帶半導體金屬氧化物,例如TiO2和ZnO,在紫外光下,通過光催化作用,可以降解各種有機污染物,進而應用到殺菌領域。然而,光生電子-空穴對的復合阻礙了這些半導體材料的應用。因此,抑制半導體材料中的光生電子-空穴對的復合
2、對于提高其光催化殺菌作用非常重要。本論文中,我們利用過渡金屬摻雜半導體材料制備了Fe3+-TiO2,來提高半導體材料的光催化殺菌性能。而在這些改性的納米結(jié)構中,基于半導體異質(zhì)結(jié)構納米催化劑的殺菌效果最好,這是由于它們具有極好的光催化性能,因此本論文選擇TiO2-ZnO異質(zhì)結(jié)構作為目標材料,并利用溶膠-凝膠法,通過Fe3+摻雜制備出Fe3+-TiO2/ZnO異質(zhì)結(jié)納米催化劑,并在不同條件下進行殺菌測試。
同時我們通過XRD,
3、AFM,SEM及XPS技術對薄膜進行了表征分析,得出ZnO薄膜經(jīng)過300℃到600℃之間的熱處理后,薄膜的形貌和晶體結(jié)構都非常均一,排列較緊密,膜面比較平整,沒有發(fā)生龜裂現(xiàn)象。Fe3+-TiO2薄膜在同樣溫度熱處理后,得出薄膜表面比較致密,較為粗糙,并有大量晶粒,這樣較大的比表面積有利于光催化反應對進行。
此外,我們對薄膜進行了殺菌測試,單層Fe3+-TiO2薄膜與Fe3+-TiO2/ZnO薄膜相比,后者的抗菌性能更強。并
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