LED芯片工藝參數分析測試技術的研究.pdf

1、發(fā)光二極管作為下一代光源有著廣泛的應用前景,由于其能量轉化效率高,使用壽命長以及無污染等優(yōu)點對于未來社會的可持續(xù)發(fā)展有著重要的意義?，F在LED的制造工藝瓶頸主要集中在對薄膜生長厚度和化合物半導體薄膜組分的精確控制上。因此開發(fā)出一套針對LED芯片薄膜生長工藝的分析測試方法將具有十分重要的意義。
　　 本文介紹了通過分光光度法和Forouhi-Bloomer離散方程相結合的方法測定化合物半導體薄膜膜厚d的方法,并通過SIMS、橢圓偏

2、振儀、SEM等分析測試手段對實驗結果進行驗證,證明了該方法測得薄膜厚度的可信性。
　　 通過數據庫數據對比技術,將通過擬和得到的化合物半導體薄膜的折射率n值與數據庫的數值進行比較分析,得到了該層薄膜的化合物組分信息x,并通過XRD和XPS等分析測試手段對得到的實驗結果進行驗證,證明了該技術測得化合物半導體薄膜組分x的可信性。
　　 應用了FIB“取出法”的制樣技術和TEM測試分析相結合,得到了較為快速的得到樣品量子阱信息