AlGaN-GaN HEMT逆壓電效應模型及抑制技術的研究.pdf

1、傳統(tǒng)的微波功率器件(例如Si，Ge)已經到達其性能極限，為了應用于未來無線通信以及航空航天等領域，寬禁帶半導體諸如GaN、SiC 越來越受到科研人員的關注。AlGaN/GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)可以克服寬禁帶半導體低電子遷移率的缺點，特別適合于高頻高功率應用。
　　 AlGaN/GaN 異質結由于自發(fā)極化效應和壓電極化效應在界面處產生高濃度的二維電子氣(2DEG)，與此同時，逆壓電效應對2DEG 也會產生影響。

2、>　　 首先，在文中提出了一種逆壓電效應模型(即電致耦合模型)來計算2DEG，在計算過程中考慮到弛豫度與附加電場對材料壓電極化效應的影響，結果發(fā)現壓電極化電荷密度低于傳統(tǒng)利用壓電模量方法的計算值，當Al組分0.30 x ?時，兩種模型的計算值相差7.17[％]，由此可見，當電場作用于材料時，材料產生逆壓電效應，導致壓電極化電荷密度降低。其次，抑制逆壓電效應，降低HEMT 器件的電流崩塌量并提高器件的擊穿電壓，這對于提高GaN 器件的工

3、作性能具有重要意義。通過在器件研制過程中采用源漏凹槽結構來改變器件內電場分布，從而提高器件工作特性。實驗結果初步表明，采用源漏凹槽結構不僅可以降低源漏間電阻，且對于器件擊穿特性的影響如下：源、漏以及源漏三種凹槽結構中，源漏凹槽結構有利于提高器件柵漏擊穿電壓，在80V 電壓下柵極漏電流密度比源凹槽結構低5.06×10-4A/mm ；源凹槽結構有利于提高柵源擊穿電壓，在80V 電壓下柵極漏電流密度比漏凹槽結構低11.71×10-4A/mm。