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
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文檔簡介
1、肖特基接觸是AlGaN/GaN HEMT的關(guān)鍵因素之一,國內(nèi)外對其深入研究較少,因而本文對AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)上的肖特基接觸作了詳細(xì)的研究。本文在經(jīng)典的肖特基電流輸運(yùn)理論基礎(chǔ)上,對制作在AlGaN/GaN HEMT上的肖特基柵的變溫I-V測試和C-V測試,采用函數(shù)優(yōu)化的方法對I-V-T,C-V-T曲線進(jìn)行了分析,并針對AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)肖特基柵給出了一種更為實(shí)用的參數(shù)提取方法。同時在此基礎(chǔ)上將串聯(lián)電阻Rs作為電流的函數(shù)對肖特基
2、接觸I-V特性方程進(jìn)行了修正,得到了很好的擬合曲線。試驗(yàn)表明,導(dǎo)帶底下0.26eV的電子陷阱能級在高溫下能夠輔助電子進(jìn)行隧穿。通過分析肖特基泄漏電流在300~550K之間的變化規(guī)律,得出450K附近是AlGaN/GaN肖特基泄漏電流由碰撞電離向隧穿電流機(jī)制變化的轉(zhuǎn)換溫度。接著,我們利用電鏡掃描(SEM)和X射線光電子能譜(XPS)對高溫退火前、后的肖特基接觸界面進(jìn)行深入分析,發(fā)現(xiàn)器件經(jīng)過高溫退火后,肖特基接觸得到明顯改善,從而器件的特性
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