單晶硅太陽(yáng)電池性能優(yōu)化計(jì)算.pdf

1、隨著石油、煤炭等化石燃料的日益消耗和環(huán)境問題的日益突出，太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)作為可替代能源的一種，正越來(lái)越受到人們的關(guān)注。雖然目前太陽(yáng)能電池材料眾多，但是單晶硅電池在未來(lái)10～20年內(nèi)仍將占據(jù)市場(chǎng)主要份額。本文重點(diǎn)建立光照產(chǎn)生率的表達(dá)式以及以摻雜濃度為主要研究參數(shù)對(duì)p-區(qū)、n-區(qū)擴(kuò)散電流密度，空間電荷區(qū)電流密度、短路電流密度，開路電壓、填充因子與轉(zhuǎn)換效率的影響。
　　光照產(chǎn)生率G(x)決定太陽(yáng)電池的性能，但是眾多文獻(xiàn)只給出產(chǎn)生率的定義式

2、，并未見其具體形式。文章采用標(biāo)準(zhǔn)光譜分布數(shù)據(jù)與硅材料吸收系數(shù)模型經(jīng)過計(jì)算大量離散值并擬合得到產(chǎn)生率的具體表達(dá)式。
　　目前計(jì)算單晶硅太陽(yáng)能電池性能的軟件多為PC1D或AMPS等，但是從軟件模擬中無(wú)法得到摻雜濃度等因素對(duì)p-區(qū)、n-區(qū)擴(kuò)散電流密度，空間電荷區(qū)光生電流密度以及反向飽和電流密度的影響。對(duì)于短路電流密度等性能影響大多也只作出二維圖形。文章在肖克萊模型的基礎(chǔ)之上，主要運(yùn)用光生載流子遷移率模型、壽命模型、硅材料吸收系數(shù)模型等逐