6061鋁合金微弧氧化起弧前氧化沉積層生長(zhǎng)過(guò)程研究.pdf

1、目前針對(duì)微弧氧化理論的研究主要集中在陶瓷層的生長(zhǎng)階段，對(duì)于起弧前氧化沉積層的生長(zhǎng)過(guò)程的研究涉及甚少，本文以6061鋁合金為研究對(duì)象，借助X射線(xiàn)衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、電化學(xué)工作站及能譜(EDS)等手段，研究了6061鋁合金表面晶界和表面粗糙度以及電解液成分對(duì)鋁合金微弧氧化起弧前氧化沉積層生長(zhǎng)規(guī)律的影響，定性的分析和總結(jié)了沉積層生長(zhǎng)的一般規(guī)律，并通過(guò)計(jì)算機(jī)元胞算法建模對(duì)理論分析進(jìn)行了驗(yàn)證。
　　研究結(jié)果表明：陽(yáng)極鋁

2、合金表面粗糙度越大，電場(chǎng)的不均衡分布程度越強(qiáng)，起弧時(shí)間越短，表面晶界為通電初期提供了更多的電導(dǎo)缺陷，促進(jìn)了沉積物的產(chǎn)生和生長(zhǎng)。電解液中的陰離子為OH-、PO43-、SiO32-等時(shí)，與陽(yáng)極產(chǎn)生的鋁離子結(jié)合生成難溶解且電阻值較高的化合物，使微區(qū)局部電流密度增加，引發(fā)起弧放電，氫氧根的存在更有利于提高電流的不均衡分配并促進(jìn)放電。電解液中的陰離子為氯離子類(lèi)時(shí)，陽(yáng)極電解產(chǎn)生的鋁離子與陰離子結(jié)合生成易溶解且阻值較低的化合物氯化鋁，這類(lèi)化合物不會(huì)引