一種高溫高精度帶隙基準設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文針對集成電路高溫下工作失效的問題，從載流子濃度和遷移率與溫度關(guān)系角度研究了集成電路元器件各參數(shù)的溫度特性，并在此基礎(chǔ)上運用零溫度系數(shù)柵偏置電壓理論和漏電流補償法，設(shè)計出一種3.5～5.5V的電源電壓范圍，室溫至200℃輸出誤差小于7.6ppm/℃的高精度帶隙基準電路。
　　論文通過分析、測試MOS管漏源兩端與襯底之間的兩個背靠背PN結(jié)載流子高溫漏電流特性，給出了在電路中P型和N型MOS管按照合適寬度比連接的高溫載流子襯底旁流策

2、略和高溫飽和區(qū)最佳性能設(shè)計規(guī)則，結(jié)合nuvoton工藝中P型和N型MOS管PN結(jié)漏電流密度的模型，采用Wp∶Wn=1∶2的配比對運算放大器共源共柵偏置級、差分輸入級和輸出級進行補償設(shè)計，使節(jié)點處漏電流和為零，提高了運算放大器的工作溫度上限。運用F.S.Shoucair的ZTC點理論，改進PTAT電路為電壓基準源偏置在ZTC點附近工作的NMOS管，設(shè)計了可向運算放大器提供3.3μA偏置的低溫漂的恒流源，解決了PTAT恒流源偏置隨溫度變化的

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