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文檔簡(jiǎn)介
1、因?yàn)榫哂辛己玫墓鈱W(xué)、電學(xué)以及磁學(xué)性能,金屬氧化物材料得到了廣泛的關(guān)注。金屬氧化物物理性能的多樣性使得它們具有廣闊的器件應(yīng)用前景。但金屬氧化物具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu),比金屬或者半導(dǎo)體更難制備。氧化物中的雜質(zhì)和缺陷嚴(yán)重影響了材料本身的性質(zhì)。本論文針對(duì)幾種典型金屬的氧化物以生長(zhǎng)技術(shù)和缺陷調(diào)控入手,提高材料的品質(zhì),優(yōu)化其物理性能。
第一章,我們簡(jiǎn)介了幾種典型氧化物材料的基本性質(zhì),并且對(duì)論文中應(yīng)用的材料制備方法進(jìn)行了簡(jiǎn)要的介紹。
2、 第二章,我們制備了摻鋯鈮酸鋰晶體,該晶體在可見光波段具有良好的抗光損傷性能。我們通過對(duì)其紫外波段的抗光損傷性能研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)Zr摻入晶體以后,紫外光折變得到了很好的抑制。摻雜鋯2mol%的鈮酸鋰晶體的衍射效率僅為0.1%,相應(yīng)光致折射率變化比名義純晶體低一個(gè)量級(jí),抗紫外光損傷的光強(qiáng)閾值可以達(dá)到105 W/cm2。該晶體是目前僅有的具有抗紫外光損傷性能的鈮酸鋰晶體。通過對(duì)擦除曲線進(jìn)行擬合分析,我們發(fā)現(xiàn)存在兩個(gè)紫外光折變中心,根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果
3、我們提出了紫外光照射下載流子輸運(yùn)的模型,合理解釋了摻雜鈮酸鋰晶體的紫外光折變性能。
第三章,我們通過缺陷能級(jí)設(shè)計(jì),生長(zhǎng)了LiNbO3:Zr,F(xiàn)e,Mn和LiNbO3:Zr,Cu,Ce晶體,對(duì)它們的非揮發(fā)性全息存儲(chǔ)性能進(jìn)行了研究。摻入鋯元素之后,LiNbO3:Zr,F(xiàn)e,Mn晶體的響應(yīng)時(shí)間得到了極大的縮短,降到了1秒以下,光折變靈敏度為1.31 cm/J,比雙摻LiNbO3:Fe,Mn晶體提高了十幾倍,LiNbO3:Zr,C
4、u,Ce晶體的光折變靈敏度也得到了提高,達(dá)到0.099 cm/J,與近化比的LiNbO3:Cu,Ce晶體的靈敏度相當(dāng)。而后分別對(duì)兩種三摻晶體的光致散射進(jìn)行了研究。我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果結(jié)果表明三摻晶體是實(shí)現(xiàn)非揮發(fā)性全息存儲(chǔ)實(shí)際應(yīng)用的優(yōu)良材料。
第四章,我們利用脈沖激光沉積法生長(zhǎng)了CuScO2薄膜,其禁帶寬度為4.35eV,激子結(jié)合能達(dá)到了0.4 eV。通過利用泵浦探測(cè)技術(shù)研究發(fā)現(xiàn),其透射率變化△T/T非常小,時(shí)間演變曲線包括一個(gè)延
5、遲的增長(zhǎng)以及指數(shù)弛豫部分,激子的熱化以及復(fù)合時(shí)間分別為10 ps以及0.75 ns。我們利用修正的多體Elliott模型對(duì)這些結(jié)果進(jìn)行了合理的解釋。
第五章,我們利用脈沖激光沉積法在YAlO3襯底上生長(zhǎng)了EuO的薄膜,對(duì)其光學(xué)以及磁學(xué)性能進(jìn)行了研究。發(fā)現(xiàn)飛秒脈沖激發(fā)之后,薄膜內(nèi)的磁化先增強(qiáng),接著出現(xiàn)退磁化現(xiàn)象。通過對(duì)不同溫度下的磁動(dòng)力學(xué)進(jìn)行研究,我們認(rèn)為光激發(fā)導(dǎo)致的Eu原子內(nèi)f-d電子交換相互作用的增強(qiáng),使得薄膜的磁化增加
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