SiC-真空多層膜結(jié)構(gòu)的近場(chǎng)熱傳輸特性.pdf

1、隨著納米技術(shù)和光學(xué)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,今后我們有望迎來一個(gè)全光時(shí)代。在光子芯片取代電子芯片后,大規(guī)模光子器件的集成所產(chǎn)生的熱效應(yīng)是人們所關(guān)注的焦點(diǎn)問題之一。多層膜結(jié)構(gòu)作為常見的光學(xué)器件結(jié)構(gòu)之一,對(duì)其在近場(chǎng)下熱輻射的研究是非常重要的。
　　本文以漲落電動(dòng)力學(xué)結(jié)合格林函數(shù)法為理論基礎(chǔ),著重分析了SiC-真空多層膜結(jié)構(gòu)的態(tài)密度、傳熱系數(shù)以及納米粒子對(duì)其輻射場(chǎng)吸收功率在近場(chǎng)下的變化規(guī)律。研究了探測(cè)距離、多層膜介質(zhì)層厚度、折射率等結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)其影

2、響。
　　在表面波諧振頻率處,比較了半無限大結(jié)構(gòu)與多層膜結(jié)構(gòu)態(tài)密度、傳熱系數(shù)、納米粒子對(duì)其輻射場(chǎng)的吸收功率隨探測(cè)距離的變化規(guī)律,近場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)不同偏振下對(duì)熱輻射的貢獻(xiàn)。指出了SiC層厚度、真空層厚度與間隔距離可比擬時(shí),多層膜內(nèi)部表面波耦合增強(qiáng)現(xiàn)象。對(duì)于特定結(jié)構(gòu)的多層膜,其傳熱系數(shù)與半無限大結(jié)構(gòu)相比明顯增強(qiáng)。
　　分析了納米粒子的吸收功率兩個(gè)峰值的成因,以及多層膜結(jié)構(gòu)對(duì)其特殊的影響。由于其內(nèi)部表面波的耦合作用,使得納米粒子在強(qiáng)吸收頻