200V SOI-LDMOS器件SPICE動態(tài)模型研究.pdf

1、絕緣體上硅橫向雙擴散MOS(SOI-LDMOS)器件由于其開關(guān)速度快、輸入阻抗高、寄生參數(shù)小等優(yōu)勢，已經(jīng)被廣泛地應用在功率集成電路領(lǐng)域。SPICE器件模型是對器件電學特性的描述與預測，精確的器件模型可以大大縮短電路的開發(fā)周期。在實際的功率集成電路中，SOI-LDMOS器件總是工作在動態(tài)條件下，然而，目前業(yè)界并沒有能夠精確描述SOI-LDMOS器件動態(tài)特性的SPICE模型，因此，本文對SOI-LDMOS器件SPICE動態(tài)模型的研究意義重大

2、。
　　本文首先介紹了200VSOI-LDMOS器件的結(jié)構(gòu)及工藝流程，并詳細分析了由非均勻溝道和漂移區(qū)導致的器件特殊的電容特性。在此基礎(chǔ)上，將器件分成溝道區(qū)、柵氧漂移區(qū)和場氧漂移區(qū)三個部分，并對這三個部分分別進行建模。在溝道區(qū)建模時，建立了一種新的考慮非均勻溝道的溝道區(qū)動態(tài)模型，在柵氧漂移區(qū)建模時，建立了一種基于表面勢近似的柵氧漂移區(qū)動態(tài)模型，而場氧漂移區(qū)部分則被簡單地看作一個電阻模型。接著，按照電荷分配方案綜合上述各區(qū)域模型得到