SOI-LDMOS器件的自熱效應(yīng)研究.pdf

1、高壓功率器件工作在高電壓、大電流條件下，因此高壓功率器件存在較嚴重的散熱問題。對于SOI-LDMOS器件，其低熱導(dǎo)率埋氧層（比硅小兩個數(shù)量級）直接阻擋了熱量向襯底的傳導(dǎo)，頂層硅膜有源區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的熱量不能及時有效地傳遞出去，導(dǎo)致SOI-LDMOS器件比體硅表現(xiàn)出更加嚴重的自熱效應(yīng)，給器件和電路的可靠性帶來嚴重影響，因此自熱效應(yīng)已成為影響SOI-LDMOS器件可靠性的一個重要因素，迫切需要對其展開深入研究。
　　 本文首先簡述了功率S

2、OI-LDMOS器件的發(fā)展及存在的自熱問題，然后對SOI-LDMOS器件的閾值電壓、泄漏電流、導(dǎo)通電阻、擊穿電壓及飽和電流等電學(xué)特性的溫度效應(yīng)進行了深入分析，在此基礎(chǔ)上，對SOI-LDMOS器件工作在飽和區(qū)時的熱分布進行建模，建立了SOI-LDMOS器件二維溫度分布解析模型，基于該模型可以分析器件漂移區(qū)的非均勻熱產(chǎn)生對溫度分布的影響。最后本文詳細研究了SOI-LDMOS器件的柵電壓、漏電壓、SOI層厚度、埋氧層厚度、溝道及漂移區(qū)等結(jié)構(gòu)參