RF LDMOS器件設計優(yōu)化及熱載流子效應研究.pdf

1、高壓射頻 LDMOS功率器件被廣泛用于移動通信和雷達系統(tǒng)等領域。由于其高壓、高功率的工作條件,器件容易受熱載流子注入效應和溫度效應的影響。熱載流子注入效應和溫度效應一方面衰減器件性能,使其偏離正常工作狀態(tài);另一方面,長時間受熱載流子注入和溫度效應影響,器件壽命也會退化,甚至直接損壞。因此,研究 LDMOS器件的熱載流子注入和溫度效應的作用機理、提高器件的可靠性具有重要的意義。
　　本文研究的LDMOS器件為雙層源場板金屬槽型Sin

2、ker射頻LDMOS器件,其采用金屬槽替代了高摻雜 P+注入 Sinker,有效節(jié)省了器件面積。雙層源場板結構不僅減小了漏極和柵極之間的反饋電容,提高了器件頻率特性;而且優(yōu)化了器件溝道區(qū)和LDD區(qū)的電場,改善了熱載流子注入對器件性能的影響。
　　本文通過電應力老化試驗和Silvaco數(shù)值仿真輔助分析,研究熱載流子效應對器件的直流特性(閾值電壓、跨導、飽和電流和導通電阻)的影響。通過器件結構(場板長度、LDD區(qū)長度和多晶柵長度)和工