銅酞菁的溶解及納米銅酞菁薄膜的制備.pdf

1、通過(guò)增加銅酞菁（CuPc）溶液中三氟乙酸（TFA）的濃度，使銅酞菁相繼發(fā)生一次質(zhì)子化反應(yīng)和二次質(zhì)子化反應(yīng)，分別得到了[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+兩種衍生物，并用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)進(jìn)行表征。[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+兩種衍生物的Q 帶相繼發(fā)生紅移并且發(fā)生裂分，表明兩種衍生物具有不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。銅酞菁的質(zhì)子化反應(yīng)是可逆反應(yīng)，因此質(zhì)子化反應(yīng)的進(jìn)行對(duì)質(zhì)子酸的濃度有一定的要求，使用溶劑的堿度越大，使銅酞菁發(fā)生質(zhì)子化反應(yīng)所

2、需的質(zhì)子酸的濃度也越大。 銅酞菁發(fā)生質(zhì)子化反應(yīng)后在有機(jī)溶劑中的溶解度增大了60倍，放置兩周后不會(huì)發(fā)生降解。以發(fā)生質(zhì)子化反應(yīng)的銅酞菁溶液為電解液，ITO 導(dǎo)電玻璃片和鉑片分別作為陰極和陽(yáng)極，用電沉積方法在ITO 導(dǎo)電玻璃上制備納米銅酞菁薄膜，通過(guò)改變電沉積時(shí)使用的電壓、電沉積時(shí)間、溶液溫度以及溶液濃度制備了具有不同結(jié)構(gòu)和尺寸的納米銅酞菁薄膜，并用掃描電鏡（SEM）、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)以及X 射線衍射（XRD） 進(jìn)行表征。電

3、沉積時(shí)使用的電壓越大、電沉積時(shí)間越長(zhǎng)、溶液濃度越大制備的納米銅酞菁薄膜的紫外吸收越強(qiáng)。電沉積時(shí)使用的溶液的溫度越大，制備的納米銅酞菁薄膜的紫外吸收越弱。在未經(jīng)處理的ITO基片上制備的納米CuPc 薄膜，取向良好，納米銅酞菁薄膜的衍射吸收峰2θ是6.819°，對(duì)應(yīng)的晶面間距D為12.95 0A，具有α相晶體結(jié)構(gòu)，分子的堆積方向（b 軸）平行于基片。當(dāng)ITO基片分別經(jīng)過(guò)六甲基二硅胺烷，3-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷以及苯基三氯硅烷處理