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1、熱載流子,是由于溝道電場(chǎng)中加速以及碰撞離化產(chǎn)生的具有較大動(dòng)能的載流子。熱載流子有一定機(jī)率注入柵氧化層形成界面態(tài)。而界面態(tài)對(duì)電荷的捕獲則是器件特性衰退的原因。隨著器件尺寸的不斷縮小,熱載流子效應(yīng)的影響會(huì)越來越嚴(yán)重。器件特性的衰退同時(shí)也會(huì)引起電路乃至產(chǎn)品壽命降低,熱載流子效應(yīng)(HCE)成為了影響MOS電路長(zhǎng)期可靠性的主要失效機(jī)理之一。柵氧化層氟化或氮化以及輕摻雜漏級(jí)(LDD)工藝都是改善熱載流子效應(yīng)的常用方法,因此,關(guān)于柵氧化層氟化或氮化和
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