超深亞微米MOSFET器件中熱載流子效應(yīng)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著MOS器件尺寸不斷縮小，器件內(nèi)溝道電場和電流密度激增，高電場使得熱載流子(Hot Carrier)的形成幾率大大增加。這些熱載流子具有相當(dāng)高的能量，可以克服Si-SiO2界面勢壘進(jìn)入柵氧化層，誘生大量的界面態(tài)，導(dǎo)致器件性能退化。本文通過理論分析和計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬圍繞深亞、超深亞微米nMOSFET器件熱載流子產(chǎn)生機(jī)理，熱載流子引起的器件特性退化等問題，對小尺度nMOSFET的熱載流子效應(yīng)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。 首先分析了nMOSFE

2、T熱載流子分類、產(chǎn)生機(jī)理、襯底電流的形成、器件性能退化的飽和特性及溫度特性等；繼而根據(jù)襯底電流的形成理論，建立了使用于深亞、超深亞微米nMOSFET的襯底電流模型，并通過計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬得到了襯底電流Isub隨柵壓、漏壓及器件結(jié)構(gòu)的變化趨勢，模擬結(jié)果與現(xiàn)有的實(shí)驗(yàn)所得到的規(guī)律一致，從而驗(yàn)證了理論模型及模擬的合理性，為以后根據(jù)Isub的變化預(yù)測熱載流子效應(yīng)引起的器件性能退化提供了依據(jù)。 器件直流輸出特性的退化是熱載流子效應(yīng)的直接體現(xiàn)，

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