大規(guī)模集成電路中的可制造性設(shè)計(jì)研究.pdf

1、隨著大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)推向深亞微米，或者納米技術(shù)，從產(chǎn)品規(guī)格設(shè)計(jì)到晶園產(chǎn)出的芯片能否正常工作以及提升良率并快速進(jìn)入大批量生產(chǎn)，為贏得市場(chǎng)和利潤(rùn)爭(zhēng)取時(shí)間日益成為半導(dǎo)體業(yè)界的首要挑戰(zhàn)。由此，可制造性設(shè)計(jì)(Design forManufacturability，DFM)最近成為半導(dǎo)體業(yè)界晶園代工廠(Foundry)，集成電路設(shè)計(jì)計(jì)公司(Fabless design house)和全球電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件公司(EDA Company)的最熱門話題

2、。DFM已成為集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域必不可少的重要技術(shù)，同時(shí)發(fā)展為電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation，EDA)框架中的重要組成部分。 根據(jù)當(dāng)前可制造性設(shè)計(jì)的實(shí)行和發(fā)展的現(xiàn)實(shí)狀況，本文從如何提高設(shè)計(jì)產(chǎn)品的良率為出發(fā)點(diǎn)探討研究后物理設(shè)計(jì)完成階段DFM處理的方法以及其原理，介紹了當(dāng)前最為主流的基于規(guī)則的DFM修正。其中包括為了解決先進(jìn)技術(shù)曝光問(wèn)題的光學(xué)臨近效應(yīng)修正的原理，以及用簡(jiǎn)單的基于

3、規(guī)則的方式來(lái)進(jìn)行全芯片的DFM修正，也總結(jié)了一些可制造性設(shè)計(jì)規(guī)則的出發(fā)點(diǎn)以及可制造性設(shè)計(jì)建議規(guī)則的制定。由此說(shuō)明可制造性設(shè)計(jì)并不是高不可及，只要總結(jié)出其規(guī)律，總是有辦法實(shí)現(xiàn)它來(lái)解決問(wèn)題。 同時(shí)，本文也尋求深亞微米制造工藝對(duì)集成電路設(shè)計(jì)和產(chǎn)品良率的影響，并由此提出一些旨在設(shè)計(jì)階段就可以考慮的可制造性要點(diǎn)，把可制造性設(shè)計(jì)向前推移并推動(dòng)傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)流程向制造友好型設(shè)計(jì)流程轉(zhuǎn)變。建立一個(gè)DFM的設(shè)計(jì)流程，首先從數(shù)據(jù)的預(yù)處理開(kāi)始運(yùn)用DFM的