體Si和SOI上高κ介質(zhì)材料研究和應(yīng)用探索.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SOI技術(shù)和高κ介質(zhì)材料的研究是微電子領(lǐng)域發(fā)展的前沿課題,該文根據(jù)國家973項(xiàng)目,國家自然科學(xué)基金等國家任務(wù)的需要,開展了體Si和SOI上高κκ介質(zhì)材料的制備、性能及其應(yīng)用的研究.自主設(shè)計(jì)了SOI基二維光子晶體波導(dǎo)具體制備工藝.對該波導(dǎo)進(jìn)行了初步的理論計(jì)算,發(fā)現(xiàn)在SOI基底上,以頂層硅和空氣孔形成的二維光子晶體,對于三角晶格周期結(jié)構(gòu),當(dāng)r/a為0.4和0.45時(shí),TE和TM光子帶隙在約化頻率(ωa/2πC)為0.413~0.464區(qū)間內(nèi)

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