已閱讀1頁，還剩78頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文新型介質(zhì)場增強(qiáng)SOI高壓器件研究姓名：鄧浩申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：軟件工程指導(dǎo)教師：張波徐世六20090501摘要應(yīng)小、速度快等優(yōu)點(diǎn)的同時，解決了SOl器件低耐壓和難散熱的問題。利用MEDICI仿真了擊穿電壓和漂移區(qū)濃度、低k介質(zhì)層長度、埋層厚度、低k介質(zhì)介電系數(shù)的關(guān)系，仿真結(jié)果顯示：在tr=lgm、k=2、Lw=20l_tm、B％礦258V，此時器件表面最高溫度為321K；耐壓比相同結(jié)構(gòu)參數(shù)下的常規(guī)SOI器件提
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 基于增強(qiáng)介質(zhì)層電場技術(shù)的新型SOI高壓器件研究.pdf
- 新型SOI LDMOS高壓器件研究.pdf
- 基于介質(zhì)電場增強(qiáng)理論的SOI橫向高壓器件與耐壓模型.pdf
- 雙介質(zhì)埋層SOI高壓器件的研制.pdf
- 新型超低阻高壓SOI器件設(shè)計(jì)與工藝分析.pdf
- 新型功率SOI橫向器件研究.pdf
- SOI高壓MOS器件擊穿特性研究.pdf
- 基于橫向可變降低表面電場技術(shù)的新型SOI高壓器件研究.pdf
- 400V薄層SOI高壓器件研究.pdf
- 高壓低阻SOI橫向功率器件研究.pdf
- SOI橫向高壓器件耐壓模型和新器件結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 薄層SOI高壓LDMOS器件模型與特性研究.pdf
- 基于器件數(shù)值仿真軟件的薄層SOI高壓器件設(shè)計(jì).pdf
- 新型SOI LDMOS器件仿真研究及其模型建立.pdf
- 新型soidresurfldmos高壓器件研究
- 高壓厚膜SOI-LIGBT器件優(yōu)化設(shè)計(jì).pdf
- 電荷型高壓SOI器件模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- 復(fù)合埋層SOI高壓器件的數(shù)值仿真與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- SOI高壓器件及功率開關(guān)集成電路的研究.pdf
- SOI橫向高壓低通態(tài)電阻MOS型器件研究.pdf
評論
0/150
提交評論