納電子器件電學(xué)特性的模擬分析.pdf

1、東南大學(xué)博士學(xué)位論文納電子器件電學(xué)特性的模擬分析姓名：王偉申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：生物醫(yī)學(xué)工程指導(dǎo)教師：顧寧20080901流，并對模擬結(jié)果進行了分析比較。通過對比表明，模型與實驗結(jié)果符合：缺陷助隧穿柵電流與散射聲子能量有關(guān)，聲子能量越大，缺陷助隧穿柵電流越／ix；缺陷助隧穿柵電流與缺陷密度、介質(zhì)厚度和柵壓有關(guān)，缺陷密度越大，缺陷助隧穿電流也越大；介質(zhì)厚度越厚，缺陷助隧穿效應(yīng)往往越明顯；柵壓較小，缺陷助隧穿效應(yīng)往往較顯著。(4)采用量子

2、動力學(xué)非平衡格林函數(shù)模型研究納米MOSFET(場效應(yīng)管)和納米粒子陣列電學(xué)特性該模型基于二維NEGF(非平衡格林函數(shù))方程和Poisson方程自洽全量子數(shù)值解。使用該方法研究了納米雙柵MOSFET結(jié)構(gòu)尺寸對電流特性的影響，模擬結(jié)果顯示：越細長的溝道。器件的短溝效應(yīng)越弱隨柵氧厚度增大，器件的亞閾值斜率增大。另外，通過分析器件不同區(qū)域的散射自能效應(yīng)，得出減緩納米雙柵MOSFET電流性能下降的途徑。采用非平衡格林函數(shù)方法模擬一維納米粒子陣列的