電子器件實(shí)驗(yàn)講義

1、1《電子器件電子器件》實(shí)驗(yàn)講義實(shí)驗(yàn)講義目錄實(shí)驗(yàn)一實(shí)驗(yàn)一用圖示儀測(cè)量雙極型晶體管的直流參數(shù)用圖示儀測(cè)量雙極型晶體管的直流參數(shù)..................................2實(shí)驗(yàn)二實(shí)驗(yàn)二晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)量晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)量................................................................................10實(shí)驗(yàn)三實(shí)驗(yàn)三晶體管特征頻率的測(cè)量

2、晶體管特征頻率的測(cè)量................................................................................16實(shí)驗(yàn)四實(shí)驗(yàn)四晶體管基極電阻的測(cè)量晶體管基極電阻的測(cè)量.............................................................................22實(shí)驗(yàn)五實(shí)驗(yàn)五晶體管功率增益和噪聲系數(shù)的測(cè)量晶體

3、管功率增益和噪聲系數(shù)的測(cè)量...................................................28實(shí)驗(yàn)六實(shí)驗(yàn)六雙極型晶體管模型參數(shù)提取雙極型晶體管模型參數(shù)提取.....................................................................36實(shí)驗(yàn)七實(shí)驗(yàn)七M(jìn)OS結(jié)構(gòu)高頻結(jié)構(gòu)高頻CV特性測(cè)試特性測(cè)試..........................

4、......................................48實(shí)驗(yàn)八實(shí)驗(yàn)八MOSFET模型參數(shù)的提取模型參數(shù)的提取........................................................................54實(shí)驗(yàn)九實(shí)驗(yàn)九發(fā)光二極管參數(shù)的測(cè)量發(fā)光二極管參數(shù)的測(cè)量......................................................

5、..........................68實(shí)驗(yàn)十實(shí)驗(yàn)十半導(dǎo)體激光器常用參數(shù)的測(cè)定半導(dǎo)體激光器常用參數(shù)的測(cè)定(一).....................................................74實(shí)驗(yàn)十一實(shí)驗(yàn)十一半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)量（二）半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)量（二）.........................................................803維持的時(shí)間等于集

6、電極回路的鋸齒波掃描電壓周期，如圖2所示，就可以在T0時(shí)刻掃描出Ic0=Φ(Ib0Vce)曲線，在T1時(shí)刻掃描出Ic1=Φ(Ib1Vce)曲線…。通常階梯電壓有多少級(jí)，就可以相應(yīng)地掃描出有多少根Ic=Φ(IbVce)輸出曲線。JT1型晶體管特性圖示儀是根據(jù)上述的基本工作原理而設(shè)計(jì)的。它由基極正負(fù)階梯信號(hào)發(fā)生器，集電極正負(fù)掃描電壓發(fā)生器，X軸、Y軸放大器和示波器等部分構(gòu)成，其組成框圖如3所示，詳細(xì)情況可參考圖示儀說(shuō)明書(shū)。IB0IBIB1I