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文檔簡(jiǎn)介
1、SnO2是一種重要的n型半導(dǎo)體，在常溫下其禁帶寬度為3.6 eV。由于SnO2一維納米材料具有特殊的氣敏、透光和導(dǎo)電特性，在構(gòu)造氣敏傳感器、發(fā)光二極管、平板顯示器和薄膜太陽(yáng)能電池等方面有著廣泛的應(yīng)用。本文主要研究?jī)?nèi)容如下：
(1)利用氣相法，以Sn粉為源材料，通過(guò)控制Ar載氣的流量和生長(zhǎng)溫度等條件,在鍍有8nm金膜的Si(100)襯底上制備出了各種形貌的(分叉、糖葫蘆狀以及階梯狀)SnO2納米線或納米帶，研究了它們的生長(zhǎng)機(jī)
2、理，發(fā)現(xiàn)遵循VLS機(jī)制。
(2)以Sn粉和Sb粉(15：1)為源材料，采用與前面類似的方法，制備出了各種形貌的(直形和W形)SnO2：Sb納米線或納米帶，并且研究了金膜厚度對(duì)產(chǎn)物形貌的影響：金膜越厚，納米線直徑越大。通過(guò)XPS分析測(cè)出了SnO2：Sb中Sb的含量為0.705[％]，并且分析了Sb為替代Sn原子摻雜。
(3)通過(guò)HRTEM像和SAED重點(diǎn)研究了68°和112°兩種W形SnO2：Sb納米帶的微觀結(jié)
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