結(jié)型半導(dǎo)體換能元研究.pdf

1、本文通過理論分析結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)結(jié)型半導(dǎo)體橋電爆性能以及安全性能的影響規(guī)律，設(shè)計(jì)制作了四種不同橋區(qū)形狀尺寸、兩種摻雜濃度的結(jié)型半導(dǎo)體橋。在電容放電作用下，對(duì)結(jié)型橋進(jìn)行了點(diǎn)火實(shí)驗(yàn)，研究了該新型起爆元件的作用機(jī)理以及發(fā)火性能。并且對(duì)結(jié)型半導(dǎo)體橋進(jìn)行了靜電放電試驗(yàn)和1A1W5min不發(fā)火實(shí)驗(yàn)，主要得出以下結(jié)論：
　　 (1)低摻雜濃度的單晶硅芯片制作的結(jié)型半導(dǎo)體橋，在放電電容分別為44.8μF、32.μF以及22.7μＦ，充電電壓為160V

2、時(shí)，發(fā)生了雪崩擊穿，能可靠點(diǎn)火。
　　 (2)高摻雜濃度的結(jié)型橋在電容放電作用下，主要發(fā)生了齊納擊穿，換能元無法產(chǎn)生硅等離子體，從而難以迅速可靠的對(duì)藥劑進(jìn)行點(diǎn)火。因此，在設(shè)計(jì)結(jié)型半導(dǎo)體橋時(shí)，要選用n型摻雜濃度合適的單晶硅片。
　　 (3)n型單晶硅的摻雜濃度對(duì)結(jié)型半導(dǎo)體橋的擊穿電壓及電爆特性影響較大。
　　 (4)電容放電作用下，儲(chǔ)能放電電壓低于擊穿電壓時(shí)，電路中的電流幾乎為零，結(jié)型半導(dǎo)體橋展現(xiàn)出了良好的直流封堵