嵌入式SRAM-SSRAM-FLASH控制器的設(shè)計(jì)與關(guān)鍵面積算法研究.pdf

1、本文首先對(duì)存儲(chǔ)器發(fā)展過(guò)程中出現(xiàn)的數(shù)種不同結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器控制器技術(shù)進(jìn)行總結(jié)，分析它們之間的異同點(diǎn)。以這些研究為基礎(chǔ)，根據(jù)課題來(lái)源32位高性能網(wǎng)絡(luò)處理器的需要，設(shè)計(jì)了一種存儲(chǔ)器控制器體系結(jié)構(gòu)，最大的特點(diǎn)是采用了地址、數(shù)據(jù)和控制信息的單獨(dú)物理通路的體系結(jié)構(gòu)，提高帶寬利用率。該存儲(chǔ)器控制器可外接ROM存儲(chǔ)器、SRAM存儲(chǔ)器、FLASH存儲(chǔ)器，通過(guò)寄存器編程來(lái)適應(yīng)不同類型的存儲(chǔ)器，能夠較好的利用不同類型存儲(chǔ)器的讀寫帶寬。本文采用verilog

2、硬件描述語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)了該存儲(chǔ)器控制器部分模塊單元功能的代碼級(jí)描述，包括Push-Pop和隊(duì)列優(yōu)先級(jí)需要的存儲(chǔ)單元，對(duì)其進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。從仿真結(jié)果上看，基本達(dá)到設(shè)計(jì)要求，實(shí)現(xiàn)了基本的讀寫功能；對(duì)于CAM設(shè)計(jì)，給出了CAM的存儲(chǔ)單元、數(shù)據(jù)比較和輸入的電路結(jié)構(gòu)圖。 本文另外一部分工作，是圍繞集成電路關(guān)鍵面積提取算法開展研究。分析了主流關(guān)鍵面積研究方法中的Monte Carlo方法、多邊形算子方法、Voronoi圖等，指出了傳統(tǒng)關(guān)鍵面積提取

3、方法的不足，并提出了一種改進(jìn)的、較為精確的關(guān)鍵面積提取方法。相關(guān)計(jì)算分析表明：本文改進(jìn)方法與原方法相比，數(shù)值變化趨勢(shì)符合物理規(guī)律，而且要更為精確。由本文典型計(jì)算案例分析：當(dāng)缺陷半徑等于間距大小時(shí)，對(duì)于簡(jiǎn)單的長(zhǎng)而窄的線條，改進(jìn)后的模型比原模型精確度提高約為2．9%；簡(jiǎn)單的短而寬線條結(jié)構(gòu)，改進(jìn)后模型精確度相對(duì)比較高，達(dá)到3．9%左右；對(duì)復(fù)雜版圖而言，改進(jìn)后模型精確度更為突出。就某些典型結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，精度提升可達(dá)10．4%。所開展的研究對(duì)集成電路