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文檔簡(jiǎn)介
1、由于ZnO具有寬禁帶(室溫帶隙3.37eV)和高激子結(jié)合能(60 meV)性質(zhì),使其制備的光電器件可在室溫甚至更高的溫度下工作,因而ZnO基材料在光電器件各個(gè)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。本文用濕化學(xué)合成法生長(zhǎng)合成了ZnO列陣和薄膜,并對(duì)其特性進(jìn)行了研究,主要工作如下:
1、在經(jīng)過不同處理的硅襯底:ODS化學(xué)處理的硅襯底上、Au過渡層的硅襯底上以及AlN過渡層的硅襯底上用濕化學(xué)法生長(zhǎng)了ZnO六角結(jié)構(gòu)緊密排列微納米棒,并對(duì)不同種子層生長(zhǎng)
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