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文檔簡介
1、本論文采用溶膠-凝膠法制備出透光導電ITO膜,并對不同工藝條件(不同退火方式、不同銦離子濃度)下所制備ITO膜的結構及性能特征進行了分析研究,在此基礎上,采用正交實驗的方法研究分析了不同工藝條件對所制備ITO膜性能的影響,得出最佳工藝條件,論文還提出一種改進ITO膜導電性能的方法,即用紫外光照射處理ITO膜,以達到降低方阻、提高導電性能的目的。
論文利用AFM和XRD對膜的形貌和晶體結構進行了測試表征,利用四探針法和紫外-
2、可見分光光度計測試了膜的方塊電阻和透光率,結果表明ITO膜由納米晶體顆粒組成,為In2O3立方鐵錳礦的多晶結構;通過3組不同退火方式及時間的比較實驗,得出經過5次提拉5次退火處理后,所得ITO膜的結構和性能相對同樣時間(5h)1次退火處理的有較大改變,前者具有較大的顆粒尺寸和較高的結晶度,層與層之間的結合更加致密,膜的導電性能明顯提高;通過制得銦離子濃度不同的5組溶膠,研究銦離子濃度對ITO膜結構及性能的影響,得出隨溶膠中銦離子濃度的提
3、高,膜方阻總的變化趨勢是減小的,5層之前,這種變化尤為明顯,5層之后,由于膜表面粗糙度的增大和缺陷、裂縫的增多致使載流子的遷移率減小,因此方阻的減小不明顯,同樣原因也使膜的透光率隨銦離子濃度的提高有所降低;采用正交實驗的方法得出一組制備ITO膜的最佳實驗方案:錫銦摩爾比例為1:10,提拉速度為200mm/min,提拉次數為8次,退火溫度和時間分別為550℃和70min;用紫外光(功率分別為2000W、500W和15W)照射處理溶膠-凝膠
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