場(chǎng)滲透對(duì)n型硅場(chǎng)發(fā)射電子能譜的影響.pdf

1、平板顯示技術(shù)是當(dāng)今社會(huì)發(fā)展的趨勢(shì),場(chǎng)發(fā)射顯示是非平板顯示-陰極射線管顯示(CRT)的平板化,具有分辨率高、色彩再現(xiàn)性好、對(duì)比度高、響應(yīng)速度快、工作溫度范圍寬、電磁輻射小、易于實(shí)現(xiàn)數(shù)字化顯示等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)發(fā)射顯示的核心技術(shù)是場(chǎng)發(fā)射電子源,即陰極技術(shù),研究場(chǎng)發(fā)射陰極材料是降低其成本的重要途徑之一。硅基的場(chǎng)發(fā)射電子源可以實(shí)現(xiàn)與微電子器件的兼容,研究半導(dǎo)體硅的場(chǎng)發(fā)射是非常有意義的。半導(dǎo)體的場(chǎng)發(fā)射理論并不成熟,它的場(chǎng)發(fā)射要比金屬?gòu)?fù)雜的多。深入理解半導(dǎo)

2、體場(chǎng)發(fā)射的機(jī)制是開(kāi)發(fā)高效場(chǎng)發(fā)射陰極的基礎(chǔ),場(chǎng)發(fā)射電子能譜包含著豐富的場(chǎng)發(fā)射信息,它是研究場(chǎng)發(fā)射機(jī)理的最重要的手段。
　　 本論文通過(guò)數(shù)值模擬,計(jì)算了n型硅的電場(chǎng)滲透和硅的電子能帶結(jié)構(gòu),討論了電場(chǎng)滲透對(duì)半導(dǎo)體硅的場(chǎng)發(fā)射能譜的影響。
　　 在本文中,首先利用數(shù)值模擬的方法計(jì)算了n型硅微尖的場(chǎng)發(fā)射尖端內(nèi)部的電勢(shì)分布、電場(chǎng)分布以及電荷密度分布,并系統(tǒng)地研究了摻雜濃度、溫度變化、柵極電壓對(duì)電場(chǎng)滲透的影響,進(jìn)而討論電場(chǎng)滲透對(duì)微尖表面