氣體吸附對(duì)ZnO場(chǎng)發(fā)射性能的影響.pdf_第1頁
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1、氧化鋅作為寬帶半導(dǎo)體,具有負(fù)電子親和勢(shì),高的機(jī)械強(qiáng)度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特性,是一種很有發(fā)展?jié)摿Φ膱?chǎng)發(fā)射陰極材料。在納米氧化鋅場(chǎng)發(fā)射應(yīng)用中,氣體成分在氧化鋅表面的吸附會(huì)對(duì)其場(chǎng)發(fā)射電流產(chǎn)生一定的影響。
   本文采用基于密度泛函理論的第一性原理,理論研究了氧化鋅場(chǎng)發(fā)射機(jī)理和H2、H2P、CO、CO2、Ar、CH4氣體吸附對(duì)氧化鋅場(chǎng)發(fā)射性能的影響。結(jié)果表明電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)氧化鋅電子結(jié)構(gòu)造成不同影響。隨著場(chǎng)強(qiáng)的增大,氧化鋅的HOMO和LUM

2、O能級(jí)均有所提高,造成費(fèi)米面能級(jí)升高,功函數(shù)減小,隧道效應(yīng)增強(qiáng),電子更容易從氧化鋅表面發(fā)射到真空中。同時(shí)在電場(chǎng)作用下,電子的運(yùn)動(dòng)更加活躍,并向氧化鋅表面移動(dòng),導(dǎo)致表面電荷增多。在真實(shí)的場(chǎng)發(fā)射實(shí)驗(yàn)中,氧化鋅晶體表面電子發(fā)射后所留下的空穴,會(huì)立即被從底部傳導(dǎo)來的電子補(bǔ)充,從而形成穩(wěn)定的場(chǎng)發(fā)射電流。
   H2、H2O、CO、CO2、Ar、CH4氣體吸附會(huì)影響氧化鋅場(chǎng)發(fā)射性能。H2、H2O、CH4分子吸附對(duì)氧化鋅場(chǎng)發(fā)射有積極作用,主要

3、表現(xiàn)在吸附氣體與氧化鋅表面發(fā)生軌道雜化,引起指向氧化鋅表面的誘導(dǎo)偶極距,氧化鋅表面受到偶極子層的作用,表面電荷增多功函數(shù)降低,且?guī)督档?,電子易于逸出。而CO、Ar、CO2分子吸附下,產(chǎn)生指向吸附分子的偶極距,即吸附分子為負(fù)電荷中心,氧化鋅表面為正電荷中心。氣體吸附作用抑制了氧化鋅電荷的轉(zhuǎn)移,致使表面電荷分布減少。同時(shí)在軌道雜化的作用下,HOMO和LUMO能級(jí)降低,引起功函數(shù)的增大,不利于電子的發(fā)射。氧化鋅表面吸附不同氣體分子的功函數(shù)比

4、較為:
   φads(H2)<φads(H2O)<φads(CH4)<φ(ZnO)<φads(Ar)<φads(CO)<φads(CO2)。
   通過氣體吸附對(duì)納米氧化鋅陰極材料幾何結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)影響的研究,為場(chǎng)發(fā)射器件工藝技術(shù)改進(jìn)提供了理論依據(jù)。在納米氧化鋅場(chǎng)發(fā)射器件封裝時(shí),應(yīng)盡量排除CO、Ar、CO2等氣體,以減少環(huán)境氣體對(duì)納米氧化鋅場(chǎng)發(fā)射性能的消極作用。同時(shí),適量的CH4、H2或H2O氣體,可有效增強(qiáng)納米氧化鋅

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