無(wú)氰電沉積銀工藝及性能的研究.pdf

1、氰化鍍銀工藝由于存在危險(xiǎn)劇毒品和環(huán)境污染問(wèn)題，利用無(wú)氰鍍銀工藝取而代之已經(jīng)迫在眉睫。然而目前國(guó)內(nèi)所存在的無(wú)氰鍍銀工藝均存在著一定缺陷，無(wú)法推廣生產(chǎn)，因此，近年來(lái)無(wú)氰鍍銀又成為電鍍研究領(lǐng)域中的熱點(diǎn)之一。本文對(duì)直流無(wú)氰鍍銀工藝進(jìn)行了深入的探討；在此基礎(chǔ)上添加脈沖，獲得了最優(yōu)的工藝條件，并與氰化鍍銀進(jìn)行了簡(jiǎn)單的對(duì)比。 文中首先敘述了無(wú)氰鍍銀工藝的發(fā)展歷史及研究現(xiàn)狀，通過(guò)對(duì)現(xiàn)有無(wú)氰鍍銀體系的介紹，指出了無(wú)氰鍍銀工藝的前景及研究方向。

2、 其次，本文根據(jù)電鍍理論和脈沖理論，指出了影響電極過(guò)程和電結(jié)晶過(guò)程的主要參數(shù)一超電壓在實(shí)際工作中的重要作用，并以此理論為依據(jù)，通過(guò)極化曲線、霍爾槽試驗(yàn)、鍍速測(cè)試，考察了鍍液中不同絡(luò)合比、銀離子、導(dǎo)電鹽、pH、溫度等多個(gè)因素對(duì)鍍層及鍍液性能的影響，從而找出了一個(gè)比較可行的工藝配方，如下： 丁二酰亞胺：100-130 g/L pH：8-10甲基磺酸銀：70-90g/L 電流密度：1.0-2.0 A/dm<'2>碳酸鉀：10-20

3、 g/L 常溫，機(jī)械攪拌由于直流電鍍的局限性以及該工藝中鍍層較易發(fā)黃的缺陷，本課題隨后在脈沖電沉積條件下探討了電解液中各成分和工藝條件對(duì)銀鍍層表面形貌、結(jié)合力以及抗變色性能的影響，在此基礎(chǔ)上采用正交試驗(yàn)法，以鍍層顯微硬度為指標(biāo)，優(yōu)選了脈沖鍍銀參數(shù)，確定了丁二酰亞胺．甲基磺酸銀體系脈沖光亮鍍銀的最佳工藝條件：pH為8.5，電流密度為1.8 A/dm<'2>，占空比為10％，周期為5ms，鍍液溫度控制在常溫下，采用機(jī)械攪拌方式，轉(zhuǎn)速約為18

4、0轉(zhuǎn)/min。 并由此得出了直流銀鍍層與脈沖銀鍍層的對(duì)比結(jié)果： (1)霍爾槽試驗(yàn)表明脈沖電鍍光亮區(qū)間略小于直流電鍍，但鍍液分散性稍好于直流電鍍。 (2)X-衍射結(jié)果表明脈沖獲得的銀鍍層也面心立方結(jié)構(gòu)(fcc)，晶粒直徑小于直流鍍層。 (3)脈沖電沉積獲得的銀鍍層結(jié)合力良好，表面形貌、抗變色性及顯微硬度等均優(yōu)于直流電沉積獲得的銀鍍層。 最后本文將該工藝與普通氰化物鍍銀的成本作了一個(gè)簡(jiǎn)要的對(duì)比：若不包