質(zhì)子和電子共同輻照下GaAs-Ge太陽(yáng)電池電性能退化研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩67頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、本文通過(guò)地面模擬空間環(huán)境實(shí)驗(yàn)，對(duì)應(yīng)用在航天器上的GaAs/Ge太陽(yáng)電池在空間質(zhì)子和電子共同輻照作用下電性能的損傷效應(yīng)進(jìn)行了研究。
　　在模擬空間質(zhì)子與電子共同輻照的實(shí)驗(yàn)中，質(zhì)子與電子的能量選為100KeV，電子最大輻照劑量達(dá)到1×1016cm-2，質(zhì)子最大輻照劑量達(dá)到1×1012cm-2。為了研究?jī)煞N粒子在共同輻照時(shí)對(duì)GaAs/Ge太陽(yáng)電池不同的損傷作用，我們采用了先質(zhì)子后電子、先電子后質(zhì)子以及質(zhì)子與電子的共同輻照等三種輻照類(lèi)型。

2、通過(guò)伏安特性（I-V）、光譜響應(yīng)、光學(xué)反射率、光致發(fā)光光譜（PL）、X射線(xiàn)雙晶衍射、紅外反射光譜、電容-電壓特性（C-V）及霍爾效應(yīng)等測(cè)試手段研究了質(zhì)子與電子順序輻照和共同輻照前后電池微觀結(jié)構(gòu)和性能的變化，得到了不同輻照類(lèi)型與不同粒子劑量對(duì)GaAs/Ge太陽(yáng)電池的損傷規(guī)律與導(dǎo)致性能退化的原因。
　　根據(jù)SRIM2003和CasinoV2.42軟件模擬100KeV質(zhì)子與電子對(duì)GaAs/Ge太陽(yáng)電池的輻照結(jié)果，我們發(fā)現(xiàn)100KeV質(zhì)子

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論