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1、全勢(shì)能線性糕模軌道分子動(dòng)力學(xué)(Full-Potential Linear-Muffin-Tin-Orbital Molecular Dynamics,簡(jiǎn)稱FP-LMTO-MD)方法,是由Muffin-Tin勢(shì)所決定的軌道波函數(shù)作為基函數(shù),以全勢(shì)能的方法導(dǎo)出力表達(dá)式的分子動(dòng)力學(xué)方法。阿姆斯特丹密度泛函(Amsterdam Density Functional,簡(jiǎn)稱ADF)是一種基于密度泛函分析的第一性原理方法,它是通過(guò)Kohn-Sham方
2、程進(jìn)行求解的。結(jié)合FP-LMTO MD和ADF方法,我們分別對(duì)在硅團(tuán)簇中摻金屬鋁和非金屬氮的混合團(tuán)簇進(jìn)行了研究。
首先,我們研究了團(tuán)簇AlSin-1(n=2-21)中雜質(zhì)Al原子對(duì)體系結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定性的影響,發(fā)現(xiàn)幾乎所有的摻雜體AlSin-1都可以從相應(yīng)純硅團(tuán)簇的基態(tài)替換摻雜而來(lái)。除了局域扭曲之外,AlSin-1和相應(yīng)Sin的基態(tài)結(jié)構(gòu)基本相同。雖然雜質(zhì)Al的摻入降低了整體的結(jié)合能,但它同時(shí)卻加強(qiáng)了Si與Si之間的成鍵。
3、其次,我們重點(diǎn)計(jì)算了AlnSim-n(m=6-10;0≤n≤m)混合團(tuán)簇的基態(tài)結(jié)構(gòu)、結(jié)合能、電子結(jié)構(gòu)、電離能和親和勢(shì),發(fā)現(xiàn)其中一些結(jié)構(gòu)顯示出與閉電子殼層相關(guān)的高度穩(wěn)定性?;鶓B(tài)幾何結(jié)構(gòu)顯示Al原子傾向于占據(jù)成鍵少的邊緣位置,而Si則易于占據(jù)配位數(shù)高的中心位置。團(tuán)簇AlnSi9-n和AlnSi10-n的能量偏離、電離能和親和勢(shì)隨n變化的曲線顯示出明顯的奇偶特性。與純團(tuán)簇不同,混合團(tuán)簇的幾何結(jié)構(gòu)對(duì)稱性較低,一般情況下為C1。
最后,
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