ZnO微管材料及光電性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是一種重要的寬禁帶隙(Eg=3.37eV)半導體材料,它的激子束縛能高達60meV。因此,氧化鋅材料在紫外光電器件方面有巨大的應用潛力。近年來在短波長發(fā)光器件、光探測器件以及抗輻射、高頻和大功率電子器件方面的發(fā)展十分迅速。目前,有關(guān)氧化鋅研究部分主要集中在氧化鋅的紫外激光發(fā)射和可見發(fā)光機制方面以及紫外探測性能方面。本文中我們首先利用水熱法在硅襯底上生長出ZnO微管,并以此為有源區(qū)利用平面磁控濺射技術(shù)分別沉積得到Ag、Au叉指狀電極

2、,從而制作了金/ZnO/金肖特基勢壘結(jié)紫外探測器原型器件。在此基礎上,對金/ZnO微管肖特基接觸特性以及紫外探測性能進行了研究。通過I-V系統(tǒng)、XPS分析測試計算出肖特基有效勢壘高度,證實了大量表面態(tài)的存在導致費米能級被釘扎在導帶下0.35eV處。并對該紫外光探測器的暗電流和365nm波長光照下的光電流、光響應和量子效率進行了測試。測試結(jié)果表明:Ag/n-ZnO/Ag紫外探測器有明顯的光響應特性和較高的量子效率。其次,研究了熱處理工藝對

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