CVD工藝制備二氧化錫納米材料.pdf

1、二氧化錫是一種n型寬禁帶半導(dǎo)體(Eg=3.6 eV，at 300 K)，被廣泛應(yīng)用于光電器件、氣體傳感器、光催化劑、納米篩膜、玻璃涂層、太陽(yáng)能電池的透明電極和鋰離子電池的陽(yáng)極材料等。 在不同實(shí)驗(yàn)條件下，用CVD工藝制備了各種形貌的未摻雜及銻摻雜的二氧化錫納米材料。利用X射線衍射儀(ZXRD)、透射電鏡(TEM)、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、光致發(fā)光(PL)等對(duì)樣品的形貌、結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行測(cè)試與分析，主要內(nèi)容如下： 1、多

2、孔陽(yáng)極氧化鋁模板被廣泛地用來(lái)制備多種材料的納米線，納米管等。我們用草酸溶液作為電解液，制備了多孔陽(yáng)極氧化鋁模板。采用二次氧化法制備出的氧化鋁模板孔洞排列有序，孔道平行且直徑均勻。通過(guò)擴(kuò)孔處理，這些孔洞的直徑可以在30-100nm范圍內(nèi)變化。 2、制備了形貌比較獨(dú)特的一維SnO<,2>材料，包括納米線、樹(shù)枝狀納米棒和刀狀納米片。為了實(shí)現(xiàn)納米材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的可控性及其大規(guī)模生產(chǎn)，這就要求我們嚴(yán)格、系統(tǒng)地掌握不同形貌的的制備參數(shù)。研究發(fā)

3、現(xiàn)影響樣品形貌的主要因素是溫度和基底。我們研究了多孔氧化鋁模板的溫度和有無(wú)Au納米粒子對(duì)樣品形貌的影響，并且嘗試解釋了不同形貌樣品的形成機(jī)理。 3、在有Au納米粒子鑲嵌的AAO上，利用錫粒和銻粉為原料制備了Sb摻雜的SnO<,2>，樣品呈階梯狀。其中鑲嵌的Au粒子為催化劑，摻雜的SnO<,2>為單晶。光致發(fā)光發(fā)現(xiàn)未摻雜的樣品發(fā)綠光，摻雜以后發(fā)光帶有很明顯的紅移，這可能是由Sb摻雜引起的。另外我們還研究了不同摻雜量對(duì)樣品形貌的影響