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文檔簡(jiǎn)介
1、本文首先對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜在氣敏傳感器上的應(yīng)用進(jìn)行了綜述,發(fā)現(xiàn)在眾多的金屬氧化物半導(dǎo)體材料中,由于二氧化錫(SnO2)具有良好的電學(xué)、光學(xué)和氣敏性能,故廣泛應(yīng)用于氣敏傳感器、太陽(yáng)能電池、發(fā)光材料等領(lǐng)域。在綜述的基礎(chǔ)上,本文確定了用溶膠-凝膠法制備SnO2納米復(fù)合薄膜。
在實(shí)驗(yàn)方面,以金屬無(wú)機(jī)鹽SnCl2·2H2O、CuCl2·2H2O和CH3CH2OH為原料,制備了SnO2薄膜和CuO摻雜的SnO2(CuO-SnO2)薄膜
2、,用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)和電化學(xué)工作站,系統(tǒng)的研究了退火溫度、旋涂次數(shù)和添加聚乙二醇PEG(1000)對(duì)SnO2納米復(fù)合薄膜的物相、微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性的影響。研究結(jié)果表明:CuO-SnO2薄膜熱處理溫度在450℃-550℃之間比較合適,隨著退火溫度的增加,SnO2薄膜結(jié)晶性逐漸變好,晶粒長(zhǎng)大,電學(xué)特性比較好,且摻雜CuO后的SnO2薄膜電阻均小于同等條件下未摻雜的SnO2薄膜,制備的
3、SnO2呈四方相金紅石結(jié)構(gòu)。綜合考慮薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性等因素,我們確定了最佳的退火溫度為450℃,此后系統(tǒng)的研究了退火溫度在450℃下,CuO-SnO2薄膜不同旋涂層數(shù)的電學(xué)特性及添加不同含量聚乙二醇PEG(1000)后CuO-SnO2薄膜的電學(xué)特性。同時(shí),對(duì)添加不同重量的聚乙二醇和丙三醇的CuO-SnO2薄膜進(jìn)行了XRD,SEM、TEM分析及電學(xué)特性測(cè)試。
在理論模擬方面,結(jié)合氣體動(dòng)力學(xué)和氣體吸附理論等相關(guān)理論知識(shí),建
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