微硅電容加速度傳感器單片測(cè)試電路中弛張振蕩器的設(shè)計(jì).pdf

1、微硅傳感器是傳感器的發(fā)展趨勢(shì)，隨著技術(shù)的發(fā)展，將微硅傳感器和測(cè)試電路集成在一塊芯片上構(gòu)成MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))更是受到了廣泛的關(guān)注。采用CMOS工藝設(shè)計(jì)出應(yīng)用在微硅電容加速度傳感器單片測(cè)試電路中的弛張振蕩器即是本文的主要研究目的。 本文介紹了微小電容的各種測(cè)試方法，分析了采用弛張振蕩器進(jìn)行測(cè)試的原理，并設(shè)計(jì)出了構(gòu)成弛張振蕩器所需的電流源、電流開(kāi)關(guān)、控制邏輯以及比較器。最后對(duì)弛張振蕩器進(jìn)行了測(cè)試。 由于充放電電流對(duì)弛張振蕩

2、器的性能有很大的影響，因此本文把基準(zhǔn)電壓源結(jié)合在一起設(shè)計(jì)出一個(gè)受溫度、電源電壓、工藝條件影響很小的基準(zhǔn)電流參考源。 為了減少比較器延時(shí)對(duì)振蕩器的影響，比較器采用的是高速比較器，它的延時(shí)約為4.5ns。 針對(duì)弛張振蕩器溫度性能較差的特點(diǎn)，本文分析了導(dǎo)致弛張振蕩器溫度特性惡化的原因，并提出了單片弛張振蕩器的一種溫度補(bǔ)償方法。利用該種方法，可以方便地提高弛張振蕩器的溫度性能，而沒(méi)有增加它的成本以及面積消耗。在弛張振蕩器的其它應(yīng)