氟誘導大鼠腦SOD蛋白表達及硒的拮抗作用研究.pdf

1、目的：觀察氟對大鼠學習記憶能力和腦組織SOD蛋白表達的影響，探討氟所致氧化損傷效應的分子機制及硒的拮抗作用。
　　 方法：三周齡SD大鼠，96只，按體重隨機分為12組，每組8只，雌雄各半。對照組用去離子水灌胃，氟暴露組分別用氟化鈉10mg/Kg、20mg/Kg、40mg/Kg灌胃，加硒拮抗組氟化鈉(20mg/Kg)灌胃同時自由飲用加入亞硒酸鈉(2mg/L)的去離子水，加硒組自由飲用加入亞硒酸鈉(2mg/L)的去離子水，以上每組均

2、設2組；分別于染毒1個月、3個月后斷頭處死大鼠，處死前做Morris水迷宮、跳臺實驗測試大鼠學習記憶能力，并留取24小時尿液，取血清和腦組織備用。測定血氟與尿氟濃度、光鏡和透射電鏡觀察腦組織組織病理及超微結(jié)構(gòu)改變、血清及腦組織超氧化物歧化酶(SOD)活性和丙二醛(MDA)含量，并用免疫組織化學法檢測腦組織Cu/Zn-SOD蛋白表達情況。
　　 結(jié)果：1.氟暴露各組血氟、尿氟濃度均高于對照組(P<0.01)，加硒拮抗組尿氟濃度均高

3、于相應氟暴露組(P<0.05)，染毒3個月血氟和尿氟濃度均高于染毒1個月。2.光鏡下對照組神經(jīng)細胞形態(tài)未見異常，染毒1個月及染毒3個月高劑量組出現(xiàn)胞核固縮，細胞凋亡，噬神經(jīng)現(xiàn)象及腦血管擴張破裂等改變，其余各組未見明顯異常。透射電鏡顯示：對照組大鼠神經(jīng)細胞核大而圓，核膜雙層結(jié)構(gòu)清晰，核內(nèi)染色質(zhì)均勻分布，細胞漿中各種細胞器分布正常。染毒各組可見神經(jīng)細胞核不規(guī)則，核周隙增寬，染色質(zhì)塊狀邊集，髓鞘樣結(jié)構(gòu)形成，線粒體變形，伴有線粒體內(nèi)空泡形成、腫

4、脹。3.與對照組比較，染毒組大鼠血清和腦組織SOD活性明顯降低(P<0.05)，加硒拮抗組SOD活性高于相應氟暴露組(P<0.05)，加硒組SOD活性高于對照組：與染毒1個月比較，染毒3個月血清SOD及組織SOD活性顯著增高(P<0.05)：與對照組比較，血清和腦組織MDA含量有明顯升高(P<0.05)，加硒拮抗組MDA含量低于相應氟暴露組(P<0.05)，加硒組MDA含量低于對照組，與染毒1個月相比，染毒3個月MDA含量顯著降低(P<

5、0.05)。4.Morris水迷宮測試顯示，與對照組比較，染毒3個月氟暴露各組大鼠逃逸潛伏期及搜索路程明顯延長(P<0.05)，染毒1個月的差異無統(tǒng)計學意義(P>0.05)。加硒拮抗組逃逸潛伏期及搜索路程短于相應氟暴露組(P<0.05)，加硒組逃逸潛伏期及搜索路程明顯短于對照組，染毒3個月逃逸潛伏期及搜索路程長于染毒1個月。5.跳臺測試結(jié)果顯示，與對照組比較，染毒1個月氟暴露各組大鼠錯誤次數(shù)有所增加，下臺潛伏期明顯縮短(P>0.05)。

6、染毒3個月氟暴露各組大鼠錯誤次數(shù)明顯增加，下臺潛伏期顯著短于對照組(P<0.05)，加硒拮抗組錯誤次數(shù)少于相應氟暴露組而下臺潛伏期長于相應氟暴露組(P<0.05)，加硒組錯誤次數(shù)明顯減少，下臺潛伏期明顯長于對照組(P<0.05)，染毒3個月錯誤次數(shù)明顯增多(P>0.05)，下臺潛伏期短于染毒1個月(P<0.05)。6.免疫組織化學結(jié)果顯示，正常大鼠腦組織中Cu/Zn-SOD在神經(jīng)細胞中有大量表達，與對照組比較，氟暴露各組隨著劑量的增加，

7、Cu/Zn-SOD表達逐漸減少(P<0.05)；與中劑量組相比較，加硒拮抗組Cu/Zn-SOD表達明顯增加(P<0.05)，加硒組蛋白表達高于對照組(P<0.05)，染毒3個月Cu/Zn-SOD表達明顯高于染毒1個月的表達(P<0.05)。
　　 結(jié)論：1.本實驗進一步證實氟可加劇大鼠腦組織的氧化損傷和引起組織病理學和超微結(jié)構(gòu)損害并有一定的時間-效應關系。2.本實驗采用Morris水迷宮和跳臺法揭示氟對大鼠學習記憶能力有損害作用