基于SOI襯底的ONO結構制造技術及特性研究.pdf

1、在微電子行業(yè)，存儲器技術是一個快速發(fā)展的領域，隨著計算機和通訊的需求的提高，對存儲器的要求也不斷提高，為了適應發(fā)展需要，新技術不斷出現(xiàn)。ONO技術是目前存儲器廣泛采用的技術，并且在不斷地更新。隨著微電子進入納微時代，新的SOI材料以其獨特的優(yōu)點正在得到廣泛地使用，尤其是在抗輻射的領域內(nèi)。將ONO技術運用到SOI材料上，制作出高可靠性、抗輻射的存儲器，具有極大的實用價值。 本文從存儲器的原理、ONO結構的優(yōu)點和SOI的固有特性出發(fā)

2、，著重研究了以SOI材料為襯底的ONO結構的制作過程以及ONO結構的各種特性。本課題從原理分析入手，逐個分析ONO結構各個膜層的作用，導出了每個膜層的制作方法、制作原理、工藝控制方法和制作流程，其中包括單層厚度和等效厚度的確定方法，ONO疊層的生長和刻蝕。在ONO特性的研究中，通過實驗，研究了ONO結構的Ⅳ特性、漏電流特性、擊穿特性、電荷保持特性，研究了以SOI襯底的采用ONO結構存儲器的器件特性，研究了不同生長方式對特性的不同影響。