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文檔簡介
1、微弧氧化又稱微等離子體氧化或陽極火花沉積,是一種新型的表面處理方法。利用此技術(shù)形成的表面膜層具有與基體的結(jié)合力強、硬度高、耐磨性、耐蝕性、抗熱震性高、膜層電絕緣性好、擊穿電壓高等優(yōu)異的物理化學性能。在材料表面處理領域中,微弧氧化技術(shù)正成為一個研究的熱點。應用于微弧氧化技術(shù)的電源稱為微弧氧化電源。 電源是微弧氧化技術(shù)制備陶瓷膜的關鍵設備,目前用微弧氧化方法處理金屬表面時,所用的電源大多為直流電源或單向脈沖式電源,本系統(tǒng)是在消除現(xiàn)有
2、電源不足的基礎上而設計的基于DSP控制的雙端脈沖式變壓變頻微弧氧化電源。該電源是一種正、負脈沖幅度、頻率、占空比以及脈沖個數(shù)分別連續(xù)可調(diào)的雙極性大功率電源。通過對工作脈沖參數(shù)的優(yōu)化選擇,能確保獲得最佳的陶瓷結(jié)構(gòu)層,較高的生產(chǎn)效率和安全、可靠、方便的操作性能。因此可以滿足微弧氧化實驗研究工作及工業(yè)生產(chǎn)的需要。 針對微弧氧化設備工作在高電壓、大電流的具體情況,本文對微弧氧化設備的主電路部分的易損器件進行了可靠性分析,并提出了相應的解
3、決辦法。在微弧氧化設備中,IGBT的開通、關斷決定著設備輸出的脈沖頻率和占空比等電參數(shù),因此IGBT的正常工作決定著設備的可靠性。本文對常用的IGBT驅(qū)動模塊M57959、EXB841、2SD315這三種驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)、工作原理以及使用性能做了深入分析與對比。通過驅(qū)動模塊對IGBT驅(qū)動實驗,發(fā)現(xiàn)前兩者驅(qū)動功率不夠,造成IGBT處于不完全導通狀態(tài),開關損耗大,極易損壞。SCALE系列的2SD315能輸出很大的峰值電流,具有很強的驅(qū)動能力和
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