熱釋電紅外敏感元陣列的研制.pdf

1、熱釋電紅外探測器與其它類型的紅外探測器相比有許多突出的優(yōu)點，成為當前的研究熱點。本文圍繞熱釋電薄、厚膜紅外敏感元陣列的制備展開，采用溶膠-凝膠（Sol-Gel）技術制備了PLT熱釋電薄膜，設計并制備了PLT熱釋電薄膜單片式紅外敏感元陣列，對PLT薄膜、上下電極和硅犧牲層的微圖形刻蝕工藝及其化學反應機理進行了研究。另外，本文采用流延成型法制備了PLCT熱釋電厚膜，并以PLCT厚膜為熱釋電材料制作了混合式熱釋電紅外敏感元陣列，對其電學性能和

2、讀出信號進行了測試。本文主要研究內(nèi)容如下：
　　 采用Sol-Gel工藝，制備出PLT熱釋電薄膜。設計了128×128元陣列PLT熱釋電薄膜單片式紅外敏感元陣列的結(jié)構(gòu)，研究了PLT熱釋電薄膜、Pt/Ti下電極、Ni-Cr上電極、Au紅外吸收層以及硅犧牲層的微圖形刻蝕工藝以及刻蝕反應機理，成功地刻蝕出了128×128元陣列PLT熱釋電薄膜單片式紅外敏感元陣列微圖形。對單晶硅的各向異性腐蝕工藝及其化學反應機理進行了研究，采用四甲基氫

3、氧化銨水溶液（TMAH）成功地刻蝕出熱釋電薄膜紅外敏感元陣列微橋。
　　 以硅酸乙脂水解液為粘合劑，鄰苯二甲酸二乙酯（DOP）和甘油為增塑劑，采用流延成型工藝制備了PLCT熱釋電厚膜，利用“準夾板式”燒結(jié)裝置，采用兩段式燒結(jié)方式，得到的PLCT厚膜在所測溫區(qū)范圍內(nèi)，平均熱釋電系數(shù)為5.5×10－8C/cm2K，在室溫（20℃）時其熱釋電系數(shù)為5.97×10－8C/cm2K，探測率優(yōu)值為1.00×10－8Ccm/J。利用PLCT厚