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文檔簡介
1、本文采用溶膠凝膠方法和射頻磁控濺射方法制備了鋯鈦酸鉛(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)薄膜。利用廣角X射線衍射技術(shù)研究了PZT薄膜的相結(jié)構(gòu);利用X射線ω掃描技術(shù)分析了PZT薄膜的晶體學(xué)織構(gòu)及其彌散度;采用掃描電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)觀察了薄膜的表面形貌;運用小角 X射線散射(SAXS)技術(shù)表征了溶膠凝膠薄膜中的微細孔洞;通過細聚焦平面探測器X射線衍射幾何的分析,建立了一種基于面探XRD技術(shù)的薄膜微小區(qū)域
2、殘余應(yīng)力分析方法,并研究了Ag電極對薄膜微區(qū)殘余應(yīng)力的影響規(guī)律;最后初步分析了制備工藝參數(shù)對PZT薄膜鐵電性能的影響。
XRD物相分析結(jié)果表明,通過調(diào)節(jié)溶膠凝膠工藝和熱處理工藝,可以由廉價無機鋯鹽為原材料制備出低焦綠石含量及純鈣鈦礦相的PZT薄膜。研究發(fā)現(xiàn),前驅(qū)體濃度對溶膠凝膠 PZT薄膜織構(gòu)有重要影響。當前驅(qū)體濃度較低時(0.3mol/L)時薄膜傾向于形成強烈的(100)織構(gòu),而高的前驅(qū)體濃度(0.5mol/L)則有利于(1
3、11)織構(gòu)的形成。溶膠凝膠PZT薄膜中的(111)織構(gòu)的彌散度隨退火時間的延長、退火溫度的提高而增大。
ω-掃描XRD分析結(jié)果指出,射頻磁控濺射工藝對PZT薄膜織構(gòu)影響顯著,研究發(fā)現(xiàn)高的濺射功率有利于薄膜(100)織構(gòu)的形成。
SAXS和SEM的分析結(jié)果表明,PZT薄膜中的微細孔洞與高摩爾濃度的前驅(qū)體溶液密切相關(guān)。濃度為0.5mol/L溶液制備的薄膜內(nèi)部沿膜厚方向有序分布著Z方向尺寸為0.5nm的微細孔洞,隨著退火時
4、間延長,微細孔洞的逐漸閉合。
基于掠入射 X射線衍射(GIXRD)的殘余應(yīng)力測量表明,溶膠凝膠 PZT薄膜中的殘余應(yīng)力為拉應(yīng)力,而射頻磁控濺射 PZT薄膜中為壓應(yīng)力。對于射頻磁控濺射薄膜而言,濺射功率及濺射氣壓對薄膜中的殘余應(yīng)力有著重要的影響,隨著濺射氣壓的增大,薄膜中的殘余壓應(yīng)力逐漸增加。對溶膠凝膠PZT薄膜而言,在居里點附近的交變電場熱處理有助于降低薄膜中的殘余應(yīng)力。
細聚焦面探XRD分析表明,可以利用德拜環(huán)的畸
5、變對薄膜微區(qū)的殘余應(yīng)力進行表征,研究發(fā)現(xiàn),Ag上電極有明顯松弛薄膜殘余應(yīng)力的作用。
鐵電性能測試表明,薄膜的微觀組織、殘余應(yīng)力及織構(gòu)對薄膜的鐵電性能有重要影響,相比于具有較大彌散度的(111)織構(gòu)薄膜,強烈(100)織構(gòu)的PZT薄膜有更高的剩余極化強度和較低的矯頑場。隨著薄膜厚度增加,(100)織構(gòu)薄膜的剩余極化強度增加,矯頑場降低。射頻磁控濺射 PZT薄膜中應(yīng)力對剩余極化強度的影響研究表明,隨著薄膜殘余應(yīng)力的增大,薄膜的剩余
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