版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、單結(jié)晶體管原理單結(jié)晶體管原理單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱UJT)又稱基極二極管,它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它的基片為條狀的高阻N型硅片,兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電呼如圖1所示。一、單結(jié)晶體管的特性從圖1可以看出,兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻:rbb=rb1rb2式中:rb1第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻,其數(shù)值隨發(fā)射極電流i
2、e而變化,rb2為第二基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻,其數(shù)值與ie無(wú)關(guān);發(fā)射結(jié)是PN結(jié),與二極管等效。若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb,則A點(diǎn)電壓為:VA=[rb1(rb1rb2)]vbb=(rb1rbb)vbb=ηVbb式中:η稱為分壓比,其值一般在0.30.85之間,如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加,就可測(cè)得單結(jié)晶體管的伏安特性,見(jiàn)圖2圖2、單結(jié)晶體管的伏安特性(4)反向電流Ieob1開(kāi)路,在額定反向電壓Vcb2下,eb2間的反向
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 單結(jié)晶體管
- 單結(jié)晶體管90258
- 單結(jié)晶體管90311
- 單結(jié)晶體管90174
- 單結(jié)晶體管90445
- 單結(jié)晶體管90244
- 單結(jié)晶體管的識(shí)別與檢測(cè)
- 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路(解析)
- 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路[1]
- 實(shí)驗(yàn)一 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路
- SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管的制備與模型驗(yàn)證.pdf
- 鍺硅異質(zhì)結(jié)晶體管的工藝集成設(shè)計(jì).pdf
- 無(wú)結(jié)晶體管閾值電壓模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- 氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管電荷控制模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- 負(fù)阻異質(zhì)結(jié)晶體管(NDRHBT)的模擬與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管及集成技術(shù)研究.pdf
- 鑄造結(jié)晶體名詞解釋
- 鑄造結(jié)晶體名詞解釋
- 淺析晶體管原理及檢測(cè)
- SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管研究——一種平面集成多晶發(fā)射極SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管部分工藝因素影響的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論