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文檔簡介
1、在制備復(fù)合材料中,碳納米管和碳化硅晶須易受到空氣和基體材料侵蝕而失效。通過給碳納米管和碳化硅晶須包裹硅保護(hù)層可有效地解決這個(gè)問題。本論文采用準(zhǔn)原子層沉積方法,利用硅烷的原位熱分解在碳納米管和碳化硅晶須表面鍍覆硅膜。硅膜厚度通過調(diào)整每次循環(huán)中導(dǎo)入反應(yīng)室硅烷氣體的數(shù)量和循環(huán)次數(shù)控制在納米尺度范圍。 通過X射線衍射、透射電鏡和拉曼光譜對(duì)硅鍍層的相組成和結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。結(jié)果表明:硅以立方相多晶形式存在。準(zhǔn)原子層沉積方法實(shí)現(xiàn)了均勻鍍硅。
2、 DSC/TG分析表明碳納米管的起始氧化溫度為571.2℃,硅碳納米管的起始氧化溫度高達(dá)676.3℃,比未鍍覆的碳納米管要高大約101.5℃。硅鍍層越厚,碳納米管的質(zhì)量損失越少,硅對(duì)碳納米管的保護(hù)作用越強(qiáng)。鍍硅碳化硅晶須樣品的起始氧化溫度也有所升高,這說明硅鍍層有效的提高了碳納米管和碳化硅的熱穩(wěn)定性,對(duì)樣品起到了一定的保護(hù)作用。 未鍍硅碳納米管和碳化硅晶須、鍍硅碳納米管和碳化硅晶須為增強(qiáng)體,硼硅玻璃.氧化鋁和金屬鋁分別為基體
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