2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、磁控濺射是一種被廣泛用于各種薄膜制備的物理氣相沉積技術(shù),它主要涉及粒子的碰撞、分解、激發(fā)、電離及其在電磁場中非線性輸運(yùn)等復(fù)雜過程,以及輸運(yùn)到襯底的成膜粒子在襯底上的成核、擴(kuò)散、生長等非平衡過程。
  本實(shí)驗(yàn)采用朗謬爾雙探針和光發(fā)射譜診斷方法,研究在硅基上生長導(dǎo)電薄膜過程中,各種參數(shù)與等離子體環(huán)境變化的關(guān)系,其主要結(jié)果包括:(1)通過雙探針的測量,得到了基片附近的電子溫度在2~3eV左右,等離子體平均電子密度的數(shù)量級(jí)為1011cm-

2、3,當(dāng)氣壓在范圍8~10Pa變化時(shí),電子密度發(fā)生突變。(2)利用光發(fā)射譜的方法對(duì)單質(zhì)銅薄膜生長進(jìn)行診斷,發(fā)現(xiàn)功率為80W時(shí),氣壓低于5Pa適合生長多晶和非晶薄膜;氣壓大于10Pa適合生長晶態(tài)薄膜,并能保證所制備薄膜的重復(fù)性。光譜空間分辨的結(jié)果表明:當(dāng)射頻功率在60W~90W范圍內(nèi)基片上方的鞘層厚度呈非線性變化,低于50W時(shí)鞘層厚度為5~7mm;由譜線計(jì)算得到的電子激發(fā)溫度為0.2~0.6eV。(3)對(duì)Ti-Al薄膜生長過程進(jìn)行診斷的結(jié)果

3、發(fā)現(xiàn):在功率為80W氣壓低于6Pa時(shí)適合生長多晶和非晶薄膜;氣壓大于10Pa時(shí),氣壓的變化基本不影響Ti-Al薄膜的組分比例。(4)在射頻放電制備LaNiO3(LNO)薄膜的過程中,60W時(shí)應(yīng)控制氣壓小于6Pa;功率大于70W時(shí),激發(fā)態(tài)鎳原子的組分基本保持不變;功率50W~60W時(shí),氣壓4~6Pa范圍內(nèi)的激發(fā)態(tài)氧離子的組分基本保持不變。(5)直流放電制備LNO薄膜時(shí),功率恒定而氣壓大于10Pa的條件下,激發(fā)態(tài)鎳原子的組分基本不隨氣壓的增

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