硅基薄膜中透明導(dǎo)電前電極陷光特性研究.pdf

1、分類號： 密級： U D C： 編號： 學(xué) 位 論 文 硅基薄膜中透明導(dǎo)電前電極 硅基薄膜中透明導(dǎo)電前電極 陷光特性研究 陷光特性研究 林小園 指導(dǎo)教師姓名：張存善 教 授

2、 河北工業(yè)大學(xué) 黃 茜 講 師 南開大學(xué) 申請學(xué)位級別：碩 士 學(xué)科、專業(yè)名稱： 物理電子學(xué) 論文提交日期： 2012 年 11 月 論文答辯日期: 2012 年 12 月 學(xué)位授予單位： 河北工業(yè)大學(xué) 答辯委員會主席： 評 閱 人： 2012 年 12 月 原創(chuàng)性聲明 原創(chuàng)性聲明 本人鄭重聲明：所

3、呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下，進(jìn)行研究工作 所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本學(xué)位論文的研究成果不包含 任何他人創(chuàng)作的、已公開發(fā)表或者沒有公開發(fā)表的作品的內(nèi)容。對本論文所涉及的研究工作做出貢獻(xiàn)的其他個人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本學(xué) 位論文原創(chuàng)性聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。 學(xué)位論文作者簽名: 日期: 關(guān)于學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)的說明 關(guān)于學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)的說明 本

4、人完全了解河北工業(yè)大學(xué)關(guān)于收集、保存、使用學(xué)位論文的規(guī)定。同意如下各項(xiàng)內(nèi)容：按照學(xué)校要求提交學(xué)位論文的印刷本和電子版本：學(xué)校有權(quán)保存學(xué)位論文的印刷本和電子版，并采用影印、縮印、掃描、數(shù)字化或其它手段 保存論文;學(xué)校有權(quán)提供目錄檢索以及提供本學(xué)位論文全文或者部分的閱覽服務(wù)； 學(xué)校有權(quán)按有關(guān)規(guī)定向國家有關(guān)部門或者機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版；在不以贏利為目的的前提下，學(xué)?？梢赃m當(dāng)復(fù)制論文的部分或全部內(nèi)容用于學(xué)術(shù)活動。 (保密的學(xué)位論文在解密