有機靜電感應晶體管的制作及特性研究.pdf

1、在信息化高速發(fā)展的今天，大規(guī)模集成電路技術和終端顯示技術成為信息化社會的兩大最重要的支柱技術。傳統(tǒng)的Si基半導體工藝存在投資成本高、制備工藝復雜、不適宜柔性基底和大面積生產(chǎn)的不足。近十幾年來，一種新穎的、低成本制備的電子器件-有機薄膜晶體管經(jīng)歷了一個快速發(fā)展的過程，引起了科學家和產(chǎn)業(yè)界人士的注意。這一類有機電子器件的制備工藝簡單，成本僅為硅芯片器件的1％-10％，可大面積批量制備，可與柔性襯底兼容，完全滿足低端電子產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化的要求，成為

2、實現(xiàn)低端低成本大面積柔性平板顯示陣列和集成電路的最佳解決方案。然而，有機場效應晶體管性能的快速進步，主要得益于新型有機半導體材料方面的研究進展。 本論文研究的是一種新型結(jié)構的有機薄膜晶體管一有機靜電感應晶體管（Organic Static Inductive Transistor：OSIT）。它具有靜電感應晶體管（SIT）的垂直結(jié)構，有機半導體材料-酞菁銅（Copper Phthalocyanine：CuPc）作為有源層。

3、 本論文主要研究內(nèi)容是，采用真空蒸鍍和磁控濺射等工藝，制備了Cu/CuPc/Al/CuPc/Cu結(jié)構的有機靜電感應晶體管。源極和漏極分別采用金屬Cu薄膜，與酞菁銅活性層形成歐姆接觸。柵極金屬是Al，與酞菁銅界面形成肖特基勢壘。通過施加柵壓和漏壓，控制肖特基勢壘的高度，從而控制越過勢壘的載流子數(shù)量，達到控制溝道內(nèi)工作電流的目的。針對已試制成功的有機靜電感應晶體管，為了解析OSIT器件的電流-電壓（I-V）特性，了解有機電子器件中載流子注