GaN基日盲型紫外光電探測(cè)器.pdf

1、長(zhǎng)波截止波長(zhǎng)小于280nm的GaN基同盲型光電探測(cè)器在生化檢測(cè)、余焰探測(cè)、空間光通訊等軍用和民用領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力，近年來(lái)得到了廣泛的關(guān)注，進(jìn)行了大量的深入研究。本文介紹了我們?cè)谶@方面所做的研究工作，著重說(shuō)明了對(duì)實(shí)現(xiàn)日盲探測(cè)具有重要意義的 GaN 材料的外延生長(zhǎng)及摻雜、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP)和 GaN 歐姆接觸的制作這三個(gè)方面的實(shí)驗(yàn)研究工作情況。 對(duì)于 GaN 基日盲型光電探測(cè)器這樣的新材料、新器件課題而言，器件的制

2、作工藝水平是決定器件性能的一個(gè)重要方面，而器件的設(shè)計(jì)技術(shù)水平和晶體生長(zhǎng)質(zhì)量是獲得高性能器件的決定性因素。文章首先會(huì)介紹 GaN 基同盲型紫外探測(cè)器研究的概況，接下來(lái)簡(jiǎn)要分析了本課題采用的探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)——“倒裝異質(zhì)結(jié)光電二極管”(IHP) p-i-n 型結(jié)構(gòu)的工作原理和特點(diǎn)。文章的第三章介紹了有機(jī)金屬化學(xué)汽相淀積(MOCVD)外延生長(zhǎng) GaN材料工藝，以及通過(guò)漸變?chǔ)?Mg 摻雜獲得高濃度 p 型摻雜的實(shí)驗(yàn)研究。緊接著的兩章，對(duì) GaN