化學(xué)液相共沉淀法制備ITO納米粉體的工藝研究.pdf

1、氧化銦錫(ITO)是一種錫摻雜的半導(dǎo)體材料，銦消費量的80％以上用于銦錫氧化物透明電極。由ITO納米粉體制成靶材，然后通過直流磁控濺射制成的ITO薄膜，是一種重摻雜、高簡并的n型半導(dǎo)體，具有低電阻率、高可見光透射率和強烈反射紅外光等一系列獨特的光學(xué)電學(xué)性能，已廣泛應(yīng)用于電子計算機、能源、電子、光電、國防軍事、航天航空、核工業(yè)和現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)等高科技領(lǐng)域，在國民經(jīng)濟中的作用日趨重要。而獲得高品質(zhì)的ITO粉體是生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)透明電極材料的關(guān)鍵。

2、 本論文以4N銦、錫錠為原料，以25％氨水為沉淀劑，采用點滴法滴加氨水的方式的化學(xué)液相共沉淀法來制備ITO納米粉體?？疾炝朔磻?yīng)初始銦濃度、反應(yīng)溫度、反應(yīng)終點pH值和前驅(qū)體老化時間對ITO粉體粒徑的影響。運用X射線衍射(XRD)、差熱-熱重分析(DTA-TG)、透射電鏡(TEM)、場發(fā)射掃描電鏡(SEM)、紅外分析(FT-IR)等檢測手段對粉體進行了表征。在液相中加入1％的硅酸鈉，反應(yīng)溫度為60℃，反應(yīng)終點pH值為8，老化制度為2h，