含萘乙烯結(jié)構(gòu)空穴傳輸材料的合成與性能研究.pdf

1、本文通過以4-(N,N-二對甲基苯基)氨基苯甲醛為原料、分別與1-甲基-4-氯甲基萘，1，4-二氯甲基萘，1，4-二氯甲基苯，通過wittig-honor反應(yīng)，合成了1-甲基-4-(N，N-二對甲基苯基氨基苯乙烯基)萘(DNMe)、1，4-二(4-N，N-二對甲基苯基氨基)苯乙烯基)萘(DND)和1，4-二(-4-(N，N-二對甲基苯基氨基)苯乙烯基)苯(DPD)三種有機空穴傳輸材料，收率分別為35％，77％，58％。通過紅外吸收光譜、

2、質(zhì)譜、1H核磁共振譜鑒定了化合物的結(jié)構(gòu)。 分別對三種空穴傳輸材料進行了液體和固體的熒光光譜測定。通過比較法以硫酸奎寧為標準，計算了三個化合物的熒光量子效率，計算結(jié)果是1-甲基-4-(N，N-二對甲基苯基氨基苯乙烯基)萘(DNMe)的熒光量子效率最高，為0.792；1，4-二(4-(N，N-二對甲基苯基氨基)苯乙烯基)萘(DND)的熒光量子產(chǎn)率為0.607；1，4-二(N，N-二對甲基苯基氨基苯乙烯基)苯(DPD)的的熒光量子產(chǎn)率

3、為0.508。用恒電位儀測定了它們的氧化還原電位，并計算了其帶隙，結(jié)果表明分子軌道能級帶隙與其熒光量子效率成反比。最后，以三種化合物作為空穴傳輸材料制備成了機能分離型的光導(dǎo)器件，并測定了器件的光致放電曲線。根據(jù)曲線計算得到由DNMe制備的器件的半衰減曝光量為0.51x·s，DND的半衰減曝光量為0.751x·s，DPD的半衰減曝光量為0.651x·s。綜合所得到的數(shù)據(jù)，DNMe無論在發(fā)光性能上還是在空穴傳輸性能上都是最優(yōu)的。 在