版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著計算機等家用電子產(chǎn)品技術(shù)的不斷進步和更新?lián)Q代,我們的生活已經(jīng)進入了電子時代。同時我們也正經(jīng)歷著一場新的技術(shù)革命,而這場技術(shù)革命的原動力正是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷創(chuàng)新,推動創(chuàng)新的就是半導(dǎo)體設(shè)計和制造工藝的不斷提升。
目前,國際上的半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進入了納米時代,世界級的制造企業(yè)已經(jīng)進入了45nm工藝的大量量產(chǎn),中芯國際也與去年引進了IBM公司的45nm工藝的技術(shù),預(yù)計今年年底可能投產(chǎn)。而目前中國國內(nèi)能大量量產(chǎn)的最先進的工藝是
2、90nm,65nm工藝,又以90nm的工藝最為成熟。正如我們所知的,隨著半導(dǎo)體從微米時代進入到亞微米時代,再到納米時代;晶園的尺寸也由原來的150毫米到200毫米,再到今天的300毫米。本文研究的就是在300毫米晶園上90納米邏輯制程上的缺陷問題。
光刻工藝通過曝光的方法將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到涂覆于硅片表面的光刻膠上,然后通過顯影、刻蝕等工藝將圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。光刻工藝直接決定了大規(guī)模集成電路的特征尺寸,是大規(guī)模集成電路制造
3、的關(guān)鍵工藝。另外,光刻工藝還有著另一個很大的作用就是是離子植入的基礎(chǔ),為離子植入制作阻擋層。微影工藝的好壞往往決定了集成電路的最終結(jié)果。
微影要做的就是為蝕刻和離子植入“開窗”。在這個開窗區(qū)域,我們或蝕刻,做出我們需要的線寬;或植入離子,摻入我們需要的雜質(zhì),從而做出我們需要的器件和互連線。
微影工藝有兩個關(guān)鍵:(一)做出符合目標(biāo)需要的窗口尺寸(二)盡量減少在工藝過程中產(chǎn)生的缺陷。
第一點,無需拗
4、述,這是微影的靈魂,更是其他工藝的基礎(chǔ)。但是第二點同樣重要,特別是在商業(yè)化生產(chǎn)的集成電路行業(yè),因為它往往會影響芯片的最終良率,而良率的好壞又是產(chǎn)品是否擁有價格優(yōu)勢的關(guān)鍵,它也是考量fab工藝是否成熟可信的一個關(guān)鍵參數(shù)。
在我們300毫米90納米邏輯產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)了Peeling缺陷的問題,主要是在離子植入層,這些缺陷因為是可動的,他們可能會覆蓋在有源區(qū),從而影響該區(qū)域的離子植入的計量,最終體現(xiàn)在最終的產(chǎn)品上就是速度變
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 解決90nm及以下蝕刻中銅擴散的先進工藝.pdf
- 基于90nm工藝的PDK開發(fā).pdf
- 90nm氮化物只讀存儲器件字線工藝中摻雜硅層缺陷的解決.pdf
- 90nm MOSFET結(jié)構(gòu)和工藝優(yōu)化.pdf
- 90nm NMOS器件TDDB擊穿特性研究.pdf
- 解決90nm及以下鋁蝕刻中金屬腐蝕的先進工藝.pdf
- 90nm SRAM光刻技術(shù)引入與改進.pdf
- 90nm工藝高速低功耗SRAM的設(shè)計.pdf
- 論90nm以下淺溝槽隔離工藝的實現(xiàn).pdf
- Logic 90nm技術(shù)淺溝道隔離制程的研究和改進.pdf
- 產(chǎn)品防偽解決方案
- 90nm淺溝槽隔離平坦化工藝的研究與改進.pdf
- 90nm快閃存儲器數(shù)據(jù)保持特性研究.pdf
- KrF化學(xué)增幅光刻膠在90nm邏輯工藝上的性能評價與優(yōu)化的工藝條件.pdf
- 0.18um到90nm工藝轉(zhuǎn)變對pr影響的研究
- tnet應(yīng)用產(chǎn)品解決方案
- 南京《90銷售系統(tǒng)》培訓(xùn)服務(wù)解決方案
- 浸沒式光刻中的缺陷及解決方案.pdf
- ipd產(chǎn)品研發(fā)的系統(tǒng)解決方案
- 產(chǎn)品研發(fā)管理的系統(tǒng)解決方案
評論
0/150
提交評論