VLSI熱載流子退化的嵌入式測試技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著VLSI技術的發(fā)展，MOS集成電路進入超深亞微米時代，熱載流子效應變得更加嚴重，使得熱載流子效應對于MOS器件和電路可靠性的影響越來越大，對熱載流子效應的研究變得越來越重要。為此，本文做了以下相關研究工作：
　　 首先，本文概括的介紹了集成電路熱載流子可靠性研究的國內外研究動態(tài)，分析了MOSFET熱載流子退化的失效機理，研究了抗熱載流子退化效應的可靠性設計方法，并通過BERT的模擬驗證了其有效性。從而為CMOS集成電路的可靠

2、性設計提供了很好的參考依據；
　　 其次，本文在深入研究和了解相關的熱載流子效應機理和測試方法的基礎上，介紹了一種熱載流子退化的嵌入式實時預測方法，并在0.35微米CMOS混合信號工藝下完成了預測電路的模擬仿真驗證和版圖設計并投片。當VLSI熱載流子退化引起的瞬態(tài)性能退化超過預設的界限時，本預測電路會發(fā)出一個報警信號。它只占用很小的芯片面積，同時它幾乎不與被測電路共用信號(除上電復位信號和電源信號外)，從而幾乎不會給被測系統帶來

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