水相CdTe納米晶的制備與機(jī)理研究.pdf

1、具有光致熒光性質(zhì)的半導(dǎo)體納米晶，在光電轉(zhuǎn)換、傳感、光學(xué)顯示、及生物成像等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。水相納米晶由于可以直接用于生命科學(xué)等領(lǐng)域，也引起了眾多研究者的熱情。近年來(lái)，許多制備水相納米晶的新技術(shù)、新方法陸續(xù)出現(xiàn)，使水相納米晶的制備方法逐漸成熟起來(lái)。不過(guò)，由于水相體系過(guò)于復(fù)雜，針對(duì)水相納米晶的生長(zhǎng)機(jī)理研究進(jìn)展緩慢，這既不利于我們深入了解水相納米晶的各種生長(zhǎng)行為，也阻礙了進(jìn)一步制備結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功能多樣的水相納米晶。因此，研究水相納米晶的生

2、長(zhǎng)規(guī)律就成為了當(dāng)務(wù)之急。 本論文旨在研究水相CdTe納米晶結(jié)構(gòu)模型及生長(zhǎng)規(guī)律，系統(tǒng)的分析了各種實(shí)驗(yàn)條件對(duì)納米晶成核、生長(zhǎng)過(guò)程及熒光性質(zhì)的影響，主要包括： (1)針對(duì)水溶性CdTe納米晶，發(fā)展了一種檸檬酸鈉輔助制備CdTe納米晶的新方法。該方法突破了傳統(tǒng)巰基水相法配體與前驅(qū)體調(diào)控的極限，有利于深入研究配體及配體層對(duì)納米晶生長(zhǎng)的影響。我們理論計(jì)算并分析了配體層對(duì)納米晶生長(zhǎng)過(guò)程的影響。發(fā)現(xiàn)在極低巰基配體用量時(shí)，巰基在納米晶表面